ZHCSZ35A October 2025 – December 2025 DRV81545
PRODUCTION DATA
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|20
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|20
訂購信息
6.3.2.1 ILIM 模擬電流限制
DRV81545 在每個輸出端實現(xiàn)了模擬電流限制，可提供短路保護或具有大浪涌電流的容性負載保護。如果輸出級出現(xiàn)高電流條件 I > ILIM_ACTIVATE ，則會降低 FET 柵極驅(qū)動電壓，以將輸出電流調(diào)節(jié)到 ILIM 水平。這種柵極驅(qū)動調(diào)整會在線性區(qū)域內(nèi)運行 FET，從而產(chǎn)生更高的 RDS(ON) 并消耗大量功率。該電流限制特性 (ILIM) 設計為與過流保護類似，但不是在過流事件期間完全關斷 FET，而是將電流限制在安全水平，直到器件過熱。
圖 圖 6-4 和 圖 6-5 展示了 ILIM 如何在穩(wěn)態(tài)持續(xù)電流（例如在容性負載的情況下）之前將浪涌電流降低到安全水平。此功能提供了減少 PCB 布線寬度和降低系統(tǒng)電源能力要求的系統(tǒng)級優(yōu)勢。
圖 6-4 無電流限制保護的高啟動電流
圖 6-5 具有 ILIM 電流限制保護的受控啟動電流模擬電流限制電平 ILIM 可以通過 ILIM 引腳上連接到 GND 的下拉電阻器進行配置，如 表 6-5 所示。會根據(jù) RILIM 為所有四個通道設置相同的 ILIM 值。一個通道上的電流限制條件不會影響其他通道，除非出現(xiàn)芯片范圍過熱等事件。
| RILIM 引腳和 GND 之間的電阻器 | 電流限制水平，ILIM |
|---|---|
| 0 ≤ RLIM< 20kΩ | 3A |
| 30kΩ ≤ RLIM ≤ 120kΩ | ILIM[A] = 60/RLIM[kΩ] |
| RLIM≥ 120kΩ | ILIM[A] = 60/RLIM[kΩ]，可以是非線性的 |
圖 6-6 顯示了在禁用截止延遲 (0kΩ ≤ RCOD < 20kΩ) 的短路條件下 tTIME_TO_TSD 期間的有源電流限制。有關截止延遲功能的詳細說明，請參見 節(jié) 6.3.2.2。通道關閉后，僅在通道溫度恢復到安全水平 (tTSD – tTSD_HYS) 后，通道才會重試。如果通道 INx 狀態(tài)在 ILIM 條件下發(fā)生變化，則控制器會響應輸入狀態(tài)變化，例如關閉輸出。如果器件因 TSD 而關斷，且溫度仍高于安全水平，則器件不會響應輸入狀態(tài)變化，這意味著如果器件仍然過熱，即使切換 INx，器件也不會重新導通輸出。
圖 6-6 在基于熱關斷的重試模式下對短路的電流限制響應（截止延遲已禁用）圖 6-7 顯示了每個低側(cè) FET 的模擬電流限制電路的簡化原理圖。
圖 6-7 模擬電流限制和檢測圖