6 引腳配置和功能

圖 6-1 RMT 封裝45 引腳 VQFN俯視圖

表 6-1 引腳功能

引腳		I/O	說明
編號	名稱	I/O	說明
1	CS	I/O	直流/直流控制器電流感應(yīng)輸入。直接連接到外部電源電流感應(yīng)電阻。
2	AGND	-	AGND 是直流/直流轉(zhuǎn)換器模擬回路。綁定到電路板上的 RTN 和 GND。
3	DTHR	O	用于擴(kuò)頻頻率抖動。從 DTHR 到 RTN 連接一個電容器（確定調(diào)制頻率）以及從 DTHR 到 FRS 連接一個電阻（確定抖動量）。如果未使用抖動，請將 DTHR 短接到 VB 引腳。
4	FRS	I	此引腳控制直流/直流轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率。可通過在該引腳和 RTN 之間綁定一個電阻器來設(shè)置頻率。
5	APD	I	初級輔助電源檢測輸入。提升至比 RTN 高 1.5V，從而禁用導(dǎo)通 MOSFET，并關(guān)閉分級。如果不使用 APD，應(yīng)將其連接到 RTN。
7、8、9	RTN	-	RTN 是 PoE 熱插拔的輸出和直流/直流控制器的參考接地。
11	EMPS	I	自動 MPS 啟用輸入，以 RTN 為基準(zhǔn)，在內(nèi)部上拉至 5V 內(nèi)部電源軌。綁定到 RTN 以禁用自動 MPS。
12	BT	O	表示已識別到應(yīng)用 IEEE802.3bt（3 類或 4 類）相互識別方案的 PSE。開漏輸出，低電平有效（以 RTN 為基準(zhǔn)）。如果通過 APD 或 PPD 輸入檢測到輔助電源適配器，則 BT 狀態(tài)保持不變。如果 SCDIS 為低電平，則也會禁用 BT。
13	TPH	O	TPH/TPL 二進(jìn)制代碼指示 PSE 分配的功率輸出。開漏輸出，低電平有效（以 RTN 為基準(zhǔn)）。默認(rèn)操作是使用并行二進(jìn)制代碼。此外，每當(dāng)通過 APD 輸入或 PPD 輸入檢測到輔助電源適配器時，TPH 和 TPL 都將拉至低電平。通過將 SCDIS 引腳綁定到 VSS，也可以啟用 TPL 上的串行代碼。在本例中，TPH 變?yōu)楦咦杩埂?/td>
14	TPL	O
17	REF	O	內(nèi)部 1.25V 電壓基準(zhǔn)。在 REF 至 VSS 之間連接精度為 1% 的 49.9kΩ 電阻。
18	SCDIS	I	TPL 串行代碼禁用，以 VSS 為基準(zhǔn)。保持?jǐn)嚅_，以便選擇并行 TPH/TPL 配置。綁定到 VSS 以選擇串行代碼。
19	PPD	I	將 V_PPD-VSS 上升至高于 2.5V，啟用熱插拔 MOSFET，激活 TPH 和 TPL 并關(guān)閉分級。將 PPD 綁定到 VSS，或在未使用時浮動。
20	CLSB	O	在 CLSB 至 VSS 之間連接一個電阻可設(shè)定第二分級電流。
21	CLSA	O	在 CLSA 至 VSS 之間連接一個電阻可設(shè)定第一分級電流。
23	VDD	—	PoE 接口電路的正輸入電源軌和直流/直流轉(zhuǎn)換器啟動電流源。通過 0.1μF 電容旁路至 VSS 并使用 TVS 來保護(hù)。
24	DEN	I/O	在 DEN 至 VDD 之間連接一個 25.5kΩ 電阻可提供 PoE 檢測特征。在供電運(yùn)行期間將此引腳拉至 VSS 會導(dǎo)致內(nèi)部熱插拔 MOSFET 關(guān)閉。
27, 28	VSS	-	源自 PoE 源的負(fù)電源軌。
30	測試	O	內(nèi)部使用，僅用于測試目的。保持?jǐn)嚅_。
31	DT	I	在 DT 和 AGND 之間連接一個電阻可設(shè)定 GATE 至 GAT2 死區(qū)時間。將 DT 綁定到 VB 以禁用 GAT2 運(yùn)行。
32	I_STP	I	此引腳在軟停止事件期間設(shè)定 SST 放電電流，獨(dú)立于在常規(guī)軟啟動事件期間使用的設(shè)置?？赏ㄟ^在此引腳和 AGND 之間連接一個電阻器來設(shè)定直流/直流軟停止速率。
33	SST	I/O	SST 至 RTN 引腳的電容器設(shè)定直流/直流轉(zhuǎn)換器的軟啟動（I_SSC 充電電流）和間斷計時器（I_SSD 放電電流）。可通過在此引腳和 RTN 之間連接一個電容器來設(shè)定直流/直流啟動速率。
34	FB	I	轉(zhuǎn)換器誤差放大器反向（反饋）輸入。如果反激式配置具有初級側(cè)調(diào)節(jié)，它通常由輔助繞組上的分壓器和電容器驅(qū)動，F(xiàn)B 也連接到 COMP 補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，與 CP 引腳一起工作。如果啟用了光耦合器反饋，則將 FB 綁定到 VB。
35	COMP	I/O	直流/直流轉(zhuǎn)換器誤差放大器的補(bǔ)償輸出或 PWM 的控制回路輸入。如果使用了內(nèi)部誤差放大器，請將補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)從這個引腳連接到 FB 引腳以補(bǔ)償轉(zhuǎn)換器。如果啟用了光耦合器反饋，則光耦合器及其上拉至 VB 的網(wǎng)絡(luò)直接驅(qū)動 COMP 引腳。
36	EA_DIS	I	誤差放大器禁用輸入，以 AGND 為基準(zhǔn)，在內(nèi)部上拉至 5V 內(nèi)部電源軌。保持 EA_DIS 斷開可禁用誤差放大器，例如，啟用光耦合器反饋。否則，連接至 AGND。
37	VB	O	直流/直流控制電路和反饋光耦合器（在使用時）的 5V 偏置軌?？赏ㄟ^在此引腳和 AGND 之間連接一個 0.1uF 電容器來提供旁路。
38	LINEUV	I	LINEUV 用于監(jiān)測大容量電容電壓，在 APD 為低電平時如果檢測到欠壓情況，則觸發(fā)軟停止事件。如果未使用，則將 LINEUV 連接到 VB 引腳。
39	PSRS	I	PSR 同步啟用輸入，以 AGND 為基準(zhǔn)，在內(nèi)部上拉至 5V 內(nèi)部電源軌。PSRS 與 CP 引腳配合使用，使用初級側(cè)調(diào)節(jié)來支持反激式架構(gòu)。如果反激式輸出級配置了同步整流和使用 PSR，則使 PSRS 保持?jǐn)嚅_。如果使用了二極管整流，或用于不使用 PSR 的應(yīng)用，則將 PSRS 連接到 AGND。
40	VBG	O	開關(guān) FET 柵極驅(qū)動器電路的 5V 偏置軌。僅供內(nèi)部使用。通過 0.1μF 陶瓷電容器旁路至 GND 引腳。
41	GAT2	O	第二個直流/直流轉(zhuǎn)換器開關(guān) MOSFET 的柵極驅(qū)動輸出。
42	VCC	I/O	直流/直流轉(zhuǎn)換器偏置電壓。內(nèi)部啟動電流源和轉(zhuǎn)換器偏置繞組輸出為此引腳供電。將一個最低 1μF 的陶瓷電容器連接至 RTN。
43	GATE	O	主直流/直流轉(zhuǎn)換器開關(guān) MOSFET 的柵極驅(qū)動輸出
44	CP	O	CP 為初級側(cè)調(diào)節(jié)環(huán)路提供鉗位。將此引腳連接至反激式變壓器的偏置繞組的下端。
45	GND	-	反激式電源 FET 柵極驅(qū)動器和 CP 所用的電源接地。連接至 RTN。
6、10、15、16、22、25、26、29	NC	-	無連接引腳。保持?jǐn)嚅_。
47	PAD_S	-	外露散熱焊盤必須連接到 VSS。需要一個較大的填充面積來幫助散熱。
46	PAD_G	-	外露散熱焊盤必須連接到 RTN。需要一個較大的填充面積來幫助散熱。