ZHCSYS3 July 2025 TPS543B25E
PRODUCTION DATA
當高側 MOSFET 在較短的消隱時間后導通時，在高側 MOSFET 中檢測電流，以使噪聲穩(wěn)定下來。每當超過高側過流閾值時，高側 MOSFET 會立即關斷，低側 MOSFET 導通。在電流降至低于低側 MOSFET 過流閾值之前，高側 MOSFET 不會重新導通，從而在短路情況下有效地限制峰值電流。如果連續(xù) 15 個周期檢測到高側過流，器件將進入間斷模式。
低側 MOSFET 在較短的消隱時間后導通時也會檢測到電流，以使噪聲穩(wěn)定下來。如果在從控制器接收到下一個傳入 PWM 信號時超過了低側過流閾值，則器件將跳過處理該 PWM 脈沖。該器件不會再次接通高側 MOSFET，直到不再超過低側過電流閾值。如果連續(xù) 15 個周期超過低側過流閾值，器件將進入間斷狀態(tài)。有兩個單獨的計數(shù)器分別用于高側電流事件和低側過電流事件。如果關斷時間太短，則低側過流不會跳閘。然而，低側過流在超過高側峰值過流限制后開始跳閘，因為超過峰值電流限制會縮短導通時間并延長關斷時間。
高側和低側正過流閾值均可使用 MSEL 引腳進行編程。提供了兩組閾值（“高”和“低”），在表 6-6 中進行了匯總。這些閾值的值是使用直流電流的開環(huán)測量獲得的，以準確指定值。在實際應用中，電感電流斜坡和斜坡速率是電感兩端電壓的函數(shù) (VIN – VOUT) 以及電感值。然后，斜坡率與電流檢測電路中的延遲相結合，導致值與指定值略有不同。高側過流限制生效的電流可以略高于指定值，而低側過流限制生效的電流可以略低于指定值。
| MSEL 電流限制設置 | 高側過流典型值 (A) | 低側過流典型值 (A) |
|---|---|---|
| 高 |
36 |
27.5 |
| 低 |
29 |
22 |