ZHCSM19D September 2019 – June 2024 TPS54J060
PRODUCTION DATA
對(duì)于降壓轉(zhuǎn)換器,在高側(cè) FET 的導(dǎo)通階段,開(kāi)關(guān)電流以線性速率增加,速率由輸入電壓、輸出電壓和輸出電感值決定。在低側(cè) FET 的導(dǎo)通階段,此電流以線性速度降低,速度由輸出電壓和輸出電感值決定。電感器電流的平均值等于負(fù)載電流 IOUT。
TPS54J060 中的輸出過(guò)流限制 (OCL) 由逐周期谷值檢測(cè)控制電路實(shí)施。在關(guān)斷狀態(tài)期間會(huì)監(jiān)測(cè)電感器電流,方法是測(cè)量低側(cè) FET 漏源電流。如果測(cè)得的低側(cè) FET 漏源電流高于電流限制,則低側(cè) FET 將保持導(dǎo)通狀態(tài),直到電流電平低于 OCL 電平。這種類型的行為會(huì)降低該器件提供的平均輸出電流。在過(guò)流情況下,流向負(fù)載的電流超過(guò)流向輸出電容器的電流,且輸出電壓趨于下降。最終,當(dāng)輸出電壓降至低于欠壓保護(hù)閾值 (80%) 時(shí),UVP 比較器會(huì)在 64μs 的等待時(shí)間后關(guān)斷該器件。在 VCC 復(fù)位或 EN 引腳上重新切換之前,這些器件保持鎖閉狀態(tài)(高側(cè)和低側(cè) FET 均會(huì)鎖閉)。
如果在啟動(dòng)期間發(fā)生 OCL 情況,則器件會(huì)完成軟啟動(dòng)電容器的充電,然后在軟啟動(dòng)完成時(shí)進(jìn)行 UV 跳閘。隨后發(fā)生如上所述的鎖閉。
從 TRIP 引腳連接到 AGND 的電阻 RTRIP 可設(shè)置谷值電流限制閾值。方程式 4 根據(jù)給定的過(guò)流限制閾值計(jì)算 RTRIP。

其中
如果使用小于 3.74kΩ 的 RTRIP 值,TPS54J060 將默認(rèn)使用內(nèi)部確定的電流限制鉗位值。