該器件可監(jiān)測(cè)經(jīng)過(guò)電阻分壓的反饋電壓以檢測(cè)過(guò)壓和欠壓事件。當(dāng)輸出被啟用時(shí)，OVP 功能會(huì)啟用。UVP 功能在軟啟動(dòng)周期完成后啟用。

軟啟動(dòng)完成后，當(dāng) FB 電壓低于 V_REF 電壓的 79% 時(shí)，UVP 比較器觸發(fā)，內(nèi)部 UVP 延遲計(jì)數(shù)器開(kāi)始計(jì)數(shù)。在 70μs UVP 延遲時(shí)間后，該器件經(jīng)過(guò) 7 倍軟啟動(dòng)周期的睡眠時(shí)間后進(jìn)入斷續(xù)模式并重新啟動(dòng)，

當(dāng)輸出被啟用時(shí)，F(xiàn)B 電壓必須上升到高于 91% PG 低電平到高電平閾值，以清除 UVP 比較器。如果 FB 電壓在軟啟動(dòng)周期結(jié)束前未超過(guò) 91% 閾值，器件會(huì)對(duì)欠壓事件做出響應(yīng)。

在 UVP 延遲時(shí)間內(nèi)，如果 FB 電壓高于 91% PG 低電平至高電平閾值，則欠壓事件將被清除，并且計(jì)時(shí)器將復(fù)位為零。當(dāng)輸出電壓再次低于 79% UVP 閾值時(shí)，70μs 計(jì)時(shí)器重新啟動(dòng)。

當(dāng) FB 電壓高于 V_REF 電壓的 116% 時(shí)，OVP 比較器觸發(fā)，同時(shí)電路鎖存故障狀況。高側(cè) MOSFET 會(huì)關(guān)斷，而低側(cè) MOSFET 會(huì)導(dǎo)通，直到達(dá)到負(fù)電流限值 I_NOCL。在達(dá)到負(fù)電流限值時(shí)，低側(cè) MOSFET 將關(guān)斷，高側(cè) MOSFET 將再次導(dǎo)通并保持適當(dāng)?shù)膶?dǎo)通時(shí)間（由 V_IN、V_OUT 和 f_SW 確定）。在輸出電壓下拉至低于 UVP 閾值電壓之前，該器件一直采用此模式運(yùn)行。然后，器件會(huì)響應(yīng)上述欠壓事件。對(duì)于長(zhǎng)于 OVP 延遲但短于 PG 高電平到低電平延遲時(shí)間的短 OVP 事件，可觸發(fā) OVP 響應(yīng)，同時(shí) PG 保持高電平。在這種情況下，PG 引腳會(huì)在輸出電壓拉至 UVP 閾值以下后拉至低電平。

如果在輸出啟用之前存在過(guò)壓情況（例如高預(yù)偏置輸出），則器件會(huì)在軟啟動(dòng)周期開(kāi)始時(shí)按如上所述對(duì)過(guò)壓事件進(jìn)行響應(yīng)。OVP 閾值與最終 VREF 電壓相關(guān)，包括在軟啟動(dòng)期間。器件會(huì)等待軟啟動(dòng)周期完成，以便啟用 UVP，然后，器件會(huì)進(jìn)入斷續(xù)模式來(lái)響應(yīng)由 OVP 響應(yīng)導(dǎo)致的欠壓事件，