ZHCSSP0 February 2024 TPS54KC23
PRODUCTION DATA
該器件使用過零 (ZC) 電路在跳躍模式期間執(zhí)行零電感器電流檢測(cè)。在低側(cè) MOSFET 關(guān)閉之前,將 ZC 閾值設(shè)置為較小的負(fù)值,從而進(jìn)入不連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM) 運(yùn)行。進(jìn)入 DCM 后,ZC 閾值遲滯會(huì)將閾值增大到一個(gè)較小的正值。因此,該器件可提供更高的輕負(fù)載效率。
當(dāng)負(fù)載電流增加到足以使器件退出 DCM 時(shí),ZC 電路必須檢測(cè)到 16 個(gè)連續(xù)周期內(nèi)負(fù)電感器電流低于 ZC 閾值,然后再返回 DCM。只需一個(gè)沒有 ZC 檢測(cè)的周期,即可退出 DCM。
當(dāng)輸出被啟用時(shí),在器件處于軟啟動(dòng)狀態(tài)的前 32 個(gè)開關(guān)周期內(nèi),ZC 電路也會(huì)被啟用。如果 MSEL 電阻值用于 FCCM,則 ZC 將被禁用并且器件會(huì)在軟啟動(dòng)完成后轉(zhuǎn)換至 FCCM。有關(guān)軟啟動(dòng)完成的說明,請(qǐng)參閱可調(diào)軟啟動(dòng)。如果在軟啟動(dòng)完成前沒有至少 32 個(gè)開關(guān)周期,例如在啟動(dòng)期間使用高輸出預(yù)偏置,則在軟啟動(dòng)完成后的第一個(gè)高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通時(shí)間之前不會(huì)禁用 ZC。