ENx 引腳能夠為每個 CHx（或 V_OUTx）提供電氣開關(guān)控制。ENx 引腳連接到具有磁滯（典型值 106mV）的比較器的非反相輸入端。當(dāng)使能引腳處于低電平 [V_ENx < V_{ENx_FALLING (MIN)}] 時，器件會進(jìn)入關(guān)斷模式，不會對選定通道 (x) 的輸出電壓 (V_OUTx) 進(jìn)行調(diào)節(jié)。如果需要開啟特定通道，需強(qiáng)制將使能引腳置為高電平 [V_ENx > V_{ENx_RISING (MAX)}]。各 ENx 引腳相互獨立，僅控制指定的 CHx (或 V_OUTx)。

如有需要，用戶可通過在 VIN 與 GND 之間連接一個電阻分壓器，將其接入 ENx 引腳（如圖 8-2 所示）的方式，單獨調(diào)整各通道的開啟電壓?？蛇m當(dāng)調(diào)整電阻器大小，以確保能夠在達(dá)到期望的預(yù)設(shè)輸入電壓時導(dǎo)通器件。

如果需要為所需通道 (CHx) 設(shè)置外部 UVLO，請按照下面步驟操作：

1. 選擇所需上升電壓 UVLO (V_{UVLO_CHx_TARGET})
2. 選擇電阻分壓器的頂部電阻器 (R_{ENx_TOP})。
   • 10kΩ 是一個不錯的起始值。為了最大限度降低功耗，應(yīng)用中可使用較大的電阻值。但是，這會導(dǎo)致噪聲敏感度上升，與 ENx 泄漏電流 (I_{ENx_LKG}) 有關(guān)的誤差也會更加明顯。
3. 利用 方程式 8，計算電阻分壓器 (R_{ENx_BOT}) 的底部電阻。
4. 選擇最接近的值，以便最大限度減小誤差。
5. 利用 方程式 9 與 方程式 10 計算所需通道的額定上升與下降 UVLO。

其中：

• R_{ENx_BOT_CALCULATED} 是計算得到的底部電阻器，用于設(shè)置在 V_{UVLO_CHx_TARGET} 下的外部 UVLO。
• V_{UVLO_CHx_RISING} 是標(biāo)稱的外部編程上升輸入電壓 UVLO。
• V_{ENx_RISING} = 0.606V（典型值）
• V_{UVLO_CHx_FALLING} 是標(biāo)稱的外部編程下降輸入電壓 UVLO。
• V_{ENx_FALLING} = 0.5V（典型值）
• R_{ENx_TOP} 是從 VIN 連接 ENx 的所選頂部電阻器。
• R_{ENx_BOT} 是從 ENx 連接 GND 的所選底部電阻器。

此外，也可以通過微控制器或 FPGA 直接驅(qū)動 ENx 引腳。使能引腳的低電壓閾值有助于支持 1.1V、1.8V、2.5V 和 3.3V 邏輯電平。

如有需要，可以在 ENx 與 GND 之間并聯(lián)一個小電容，如圖 8-2 所示。該電容器可用于：

• 最大限度降低 ENx 電壓中的噪聲。
• 過濾可能導(dǎo)致通道開啟/關(guān)閉的快速瞬變。
• 延遲通道 (CHx) 開啟。

如有需要，設(shè)計人員可利用 方程式 11，計算為延遲特定通道 (x)開啟所需要的電容器。

其中：

• t_DELAY 是以秒 為單位的所需延遲時間。
• R_TH 是戴維南等效電阻。這種情況下，為 R_{ENx_TOP} 與 R_{ENx_BOT} 之間的并聯(lián)電阻，單位為歐姆 (Ω)。
  • 方程式 12. ${\mathrm{R}}_{\mathrm{T}\mathrm{H}}\mathrm{ }\left(\mathrm{?}\right)=\frac{{\mathrm{R}}_{\mathrm{E}\mathrm{N}\mathrm{x}\_\mathrm{T}\mathrm{O}\mathrm{P}}\left(\mathrm{?}\right)\times {\mathrm{R}}_{\mathrm{E}\mathrm{N}\mathrm{x}\_\mathrm{B}\mathrm{O}\mathrm{T}}\left(\mathrm{?}\right)}{{\mathrm{R}}_{\mathrm{E}\mathrm{N}\mathrm{x}\_\mathrm{T}\mathrm{O}\mathrm{P}}\left(\mathrm{?}\right)+{\mathrm{R}}_{\mathrm{E}\mathrm{N}\mathrm{x}\_\mathrm{B}\mathrm{O}\mathrm{T}}\left(\mathrm{?}\right)}$
• V_TH 是戴維南等效電壓。這種情況下，是穩(wěn)態(tài)運行時的 V_ENx 的電壓，單位為伏特 (V)。
  • 方程式 13. ${\mathrm{V}}_{\mathrm{T}\mathrm{H}}\mathrm{ }\left(\mathrm{V}\right)=\left(\frac{{\mathrm{R}}_{\mathrm{E}\mathrm{N}\mathrm{x}\_\mathrm{B}\mathrm{O}\mathrm{T}}\left(\mathrm{?}\right)}{{\mathrm{R}}_{\mathrm{E}\mathrm{N}\mathrm{x}\_\mathrm{T}\mathrm{O}\mathrm{P}\mathrm{ }}\left(\mathrm{?}\right)+{\mathrm{R}}_{\mathrm{E}\mathrm{N}\mathrm{x}\_\mathrm{B}\mathrm{O}\mathrm{T}}\left(\mathrm{?}\right)}\right)\times \mathrm{ }\mathrm{V}\mathrm{I}\mathrm{N}\left(\mathrm{V}\right)$
• V_{ENx_RISING} 是使能器件的上升 ENx 閾值。

圖 8-2 利用 ENx 與電阻分壓器進(jìn)行外部 UVLO。