ZHCSX72C September 2023 – December 2025 UCG28824 , UCG28826 , UCG28828
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
UCG2882x 根據(jù)設(shè)計可在谷值進(jìn)行軟開關(guān)和初級 FET 導(dǎo)通,從而減少開關(guān)損耗。該轉(zhuǎn)換器在谷底開關(guān)模式下運(yùn)行,但峰值負(fù)載瞬態(tài)期間除外,在此期間可以將控制轉(zhuǎn)換為 CCM 模式(在使用 CDX 引腳時啟用)。在谷底開關(guān)模式下,目標(biāo)谷底和峰值電流閾值受 圖 7-3 和 方程式 1 的控制律控制:
在谷底開關(guān)期間,隨著輸出功率的增加,峰值電流閾值繼續(xù)按照上述公式以線性方式增大。開關(guān)頻率也根據(jù)對應(yīng)于瞬時 FB 引腳電壓的 IPK 和谷底目標(biāo)而變化。當(dāng)輸出功率從輕負(fù)載增加到額定功率時,會將控制從第 6 個谷底轉(zhuǎn)換到第 1 個谷底,同時 IPK 閾值也相應(yīng)地以線性方式增大。隨著輸出功率繼續(xù)增加,使 FB 電壓達(dá)到第一個谷值運(yùn)行的邊緣,轉(zhuǎn)換器會轉(zhuǎn)換到 CCM 模式運(yùn)行,IPK 被鉗位至最大值 IPK,MAX,并且隨著輸出負(fù)載進(jìn)一步增加,開關(guān)頻率 FSW 也會增加。IPK,MAX 上的這一鉗位可限制高密度電源設(shè)計中的變壓器尺寸。有關(guān) CCM 運(yùn)行模式的詳細(xì)信息,請參閱 節(jié) 7.4.2.4。如果在第 6 個谷底運(yùn)行時輸出功率降低,則會將控制轉(zhuǎn)換為頻率折返模式,以在更高的谷底和更低的頻率下運(yùn)行,從而進(jìn)一步降低開關(guān)損耗。
用于谷底轉(zhuǎn)換的 FB 引腳電壓閾值包含遲滯,并根據(jù) POUT 的增加或減少而變化,以實(shí)現(xiàn)谷底鎖定并防止因谷底之間的跳頻而產(chǎn)生任何可聞噪聲。請參閱電氣特性表,了解 FB 引腳電壓閾值,這些閾值決定了 UCG2882x 的運(yùn)行模式。對于 POUT 較大的零光耦合器集電極電流,通過 60kΩ 電阻器將 FB 引腳上拉至 VFBOPEN。
通常,控制器會對谷底進(jìn)行計數(shù),并在達(dá)到目標(biāo)谷底時導(dǎo)通初級 GaN HEMT,如 圖 7-4 所示。如果 SW 節(jié)點(diǎn)波形受到抑制而導(dǎo)致在達(dá)到目標(biāo)谷底之前谷底消失,則 3.75μs 的 DCM 振鈴固定計時器開始繼續(xù)對谷底進(jìn)行計數(shù),并在達(dá)到谷底目標(biāo)后導(dǎo)通初級 GaN HEMT,如 圖 7-5 所示。在啟動(軟啟動)期間,當(dāng) VOUT 較小時,如果不出現(xiàn)谷底,則控制器會自上一次導(dǎo)通起的 100μs 之后導(dǎo)通初級 GaN HEMT,在最初的幾個周期內(nèi)以 10kHz(軟啟動期間的最小頻率鉗位)進(jìn)行開關(guān),以避免閂鎖情況。
該器件在 CCM 模式下運(yùn)行最長 10ms,以支持任何瞬態(tài)輸出負(fù)載條件,如筆記本電腦充電器和其他應(yīng)用中所示。此 10ms CCM 計時器到期后,轉(zhuǎn)換器將返回到第 1 個谷底 QR 運(yùn)行。只有在 FB 引腳電壓降至 VTH1toCCM 閾值以下后,才能再次進(jìn)入 CCM 模式。在 UCG2882x 運(yùn)行期間的任何時候,均可通過頻率鉗位設(shè)置來限制最大開關(guān)頻率,該頻率鉗位設(shè)置可通過 FCL 引腳到 GND 之間的電阻器進(jìn)行編程,詳見 節(jié) 7.3.8。