ZHCADV5 March 2024 UCC27624
配置柵極驅(qū)動變壓器的方法有許多,但最常見的是圖 2-1 所示的推挽式類型。
在此配置中,雙通道低側(cè)驅(qū)動器與脈沖變壓器一同使用,用于驅(qū)動高壓半橋。圖 2-2 中分開展示了 OUTA 和 OUTB 的內(nèi)部功能。
通過將 OUTA 切換為高電平以及將 OUTB 切換為低電平(反之亦然),便會在脈沖變壓器的初級側(cè)產(chǎn)生 ±V-DD 的方波。請注意圖 2-1 中的點表示法;當(dāng)初級側(cè)上電壓為正時,高側(cè)支路上產(chǎn)生相應(yīng)的正電壓,低側(cè)支路上產(chǎn)生負(fù)電壓。初級側(cè)上的電壓為負(fù)時,低側(cè)支路上會產(chǎn)生正電壓,而高側(cè)支路上會產(chǎn)生負(fù)電壓。
次級側(cè)會在 ±V-DD(乘以匝數(shù)比)之間切換。負(fù)電壓之所以會成為一個問題,有兩個原因。首先,將 CGS 電容拉至低于地電平會浪費電能,因此柵極驅(qū)動 IC 和變壓器中的功率耗散高于關(guān)閉開關(guān)所需的功率耗散。其次,該電壓有時會超出開關(guān)允許的電壓等級。這種負(fù)偏置在某些情況下會有用,但在許多應(yīng)用中不需要負(fù)偏置。
圖 2-1 中所示的 PNP 關(guān)斷電路可解決負(fù)電壓問題。二極管(D1 和 D2)允許正向?qū)?,以便?VDD 為高電平時對 VGS 充電。當(dāng) VDD 為低電平時,D1 和 D2 會阻止反向?qū)?。VDD 下降后,PNP BJT(Q1 和 Q2)會導(dǎo)通并灌入電流,以拉低 VGS 并關(guān)斷 FET。由于 PNP BJT 在 VDD 降為 0 時關(guān)斷,但僅在 VDD 變?yōu)楦唠娖綍r柵極才會變?yōu)楦唠娖?,因此這種本地關(guān)斷實現(xiàn)方案也支持增加死區(qū)時間。
初級側(cè)上的電壓從 ±12V 開始切換,并增加了一些死區(qū)時間,在這段時間內(nèi) OUTA 和 OUTB 均關(guān)閉。電流從初級轉(zhuǎn)移到次級,從而同時導(dǎo)通高側(cè)和低側(cè) FET。由于存在局部關(guān)斷電路,因此在關(guān)斷期間,通過變壓器的電流傳輸非常少。本地關(guān)斷電路還允許對開通和關(guān)斷時間進行單獨調(diào)節(jié)。在該示例中,上升時間約為 580ns,下降時間約為 200ns??烧{(diào)上升和下降時間可實現(xiàn)更好的壓擺率控制并減少 EMI。改變 Rg 可調(diào)節(jié)開通時間,改變 RB 可調(diào)節(jié)關(guān)斷時間。
總體而言,圖 2-1 中所示的電路允許僅使用低側(cè)柵極驅(qū)動器 IC、變壓器和一些額外元件來控制高壓半橋。無需電平轉(zhuǎn)換、隔離器 IC 或輔助電源,因為柵極驅(qū)動變壓器可以同時滿足所有這些角色。