TI 的 NexFET? MOSFET 可提供各種 N 溝道和 P 溝道電源模塊以及分立式電源解決方案。我們高度集成的 MOSFET 支持更高的效率、更長的電池壽命、更高的功率密度和更高的頻率，可實現(xiàn)快速開關。這些優(yōu)勢可在外形小巧的封裝中提供設計靈活性，并使設計工程師能夠縮短產(chǎn)品上市時間。
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N 溝道 MOSFET
P 溝道 MOSFET
電源塊
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自 20 世紀 80 年代中期開始，非鉗位電感式開關 (UIS) 額定值普遍應用在 MOSFET 數(shù)據(jù)表中。事實證明，該參數(shù)非常實用。雖然在實際應用中不建議 FET 重復發(fā)生雪崩，但工程師已經(jīng)學會了使用該指標來避免在設計中使用可能會導致問題的較弱器件。
技術文章
Understanding MOSFET data sheets, Part 1 - UIS/avalanche ratings
了解如何解讀 MOSFET 數(shù)據(jù)表上的 UIS/雪崩額定值。
可以通過 5 個不同的限制條件得出 MOSFET SOA，即電阻、電流、最大功率、熱不穩(wěn)定性和 MOSFET 電壓。了解如何解讀 MOSFET 數(shù)據(jù)表上的 SOA 曲線。
技術文章
Understanding MOSFET data sheets, Part 2 - Safe operating area (SOA) graph
了解如何解讀 MOSFET 數(shù)據(jù)表上的 SOA 曲線。
了解 MOSFET 電流額定值的測量方法并不像確定 RDS(ON) 和柵極電荷等參數(shù)那樣，而是通過計算得出，并可以通過多種不同的方式得出。?
技術文章
Understanding MOSFET data sheets, Part 3 - Continuous current ratings
了解 MOSFET 電流額定值的測量方法并不像確定 RDS(ON) 和柵極電荷等參數(shù)那樣，而是通過計算得出，并可以通過多種不同的方式得出。
了解 MOSFET 數(shù)據(jù)表中顯示的其他開關參數(shù)以及它們與器件整體性能的關系（或沒有關系）。
技術文章
Understanding MOSFET data sheets, Part 5 – Switching Parameters
了解 MOSFET 數(shù)據(jù)表中顯示的其他開關參數(shù)以及它們與器件整體性能的關系（或沒有關系）。
MOSFET 在電路中的性能在很大程度上取決于器件的熱性能。
通過 FET 數(shù)據(jù)表了解結至環(huán)境熱阻抗和結至外殼熱阻抗參數(shù)并了解這些數(shù)值是如何得出的。
技術文章
Understanding MOSFET data sheets, part 6 – thermal impedance
通過 FET 數(shù)據(jù)表了解結至環(huán)境熱阻抗和結至外殼熱阻抗參數(shù)。
了解如何快速權衡尺寸、成本和性能，根據(jù)應用條件選擇合適的 MOSFET。一位 TI MOSFET 應用專家介紹了眾多基于應用的 MOSFET 功率損耗工具中的一個示例。