ZHCSZB2A December 2025 – February 2026 2N7002L
PRODUCTION DATA
2N7002L 是一款電壓控制型 N 溝道 MOSFET，其漏源導(dǎo)通狀態(tài)由施加的柵源電壓控制。當(dāng)柵源電壓超過柵極閾值電壓時(shí)，漏極與源極端子之間會(huì)形成導(dǎo)電溝道。溝道電阻隨柵源電壓的升高而降低。
當(dāng)柵源電壓低于閾值電壓時(shí)，漏極至源極通路呈現(xiàn)高阻抗，將電流限制在泄漏水平。柵極在穩(wěn)態(tài)下僅消耗極微小的電流，使得該器件可直接由邏輯電平信號(hào)控制。相對(duì)較小的柵極電荷和寄生電容支持開關(guān)操作。
器件導(dǎo)通時(shí)，電流的大小與方向取決于漏極和源極引腳上的電壓，以及電路中連接的其他元件（如上拉或下拉元件）。器件關(guān)斷時(shí)，內(nèi)部二極管仍可能允許電流沿某一方向流動(dòng)（具體取決于器件兩端的電壓），設(shè)計(jì)電路時(shí)需考慮這一行為。