ZHCSMZ9D September 2022 – February 2025 BQ25620 , BQ25622
PRODUCTION DATA
在設(shè)計(jì)輸入電容時(shí)應(yīng)確保能夠提供足夠的額定紋波電流以吸收輸入開關(guān)紋波電流。當(dāng)占空比為 0.5 時(shí),最壞情況下的 RMS 紋波電流是充電電流的一半。如果轉(zhuǎn)換器不以 50% 的占空比運(yùn)行,則最壞情況下的電容器 RMS 電流 ICin 發(fā)生在占空比最接近 50% 的位置,并可使用方程式 5 估算得出。

X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷電容器是輸入去耦電容器的首選,應(yīng)盡可能靠近高側(cè) MOSFET 的漏極 (PMID) 和低側(cè) MOSFET 的源極 (GND) 放置。電容器的額定電壓必須高于正常輸入電壓電平。對(duì)于 15V 輸入電壓,首選額定電壓為 25V 或更高的電容器。一般充電電流為 3.5A 時(shí),建議使用 10μF 的陶瓷電容器。