ZHCSN01C December 2022 – February 2025 BQ25628 , BQ25629
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
在 BQ25628 和 BQ25629 中，附件器件可連接到充電器 PMID 引腳，從而通過(guò) Q1 直接路徑從適配器獲取電源或從電池升壓模式獲取電源。在 PMID 引腳和附件輸入端之間可放置一個(gè)可選的外部 PMOS FET，以便在過(guò)流和過(guò)壓情況下斷開(kāi)電源路徑。這個(gè)外部 PMOS FET 由 PMID_GD 通過(guò)逆變器進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。PMID_GD 高電平會(huì)打開(kāi)逆變器，以便將 PMOS FET 柵極拉至低電平來(lái)使 PMOS FET 導(dǎo)通，而 PMID_GD 低電平會(huì)使 PMOS FET 關(guān)斷。
適配器插入后，當(dāng) VBUS 升至高于 VBAT 但低于 VPMID_OVP 時(shí)，PMID_GD 從低電平變?yōu)楦唠娖?，并?huì)通過(guò)不良源檢測(cè)。如果適配器電壓大于 VPMID_OVP 但小于 VVBUS_OVP，則會(huì)將 PMID_GD 驅(qū)動(dòng)為低電平，但如果滿足所有其他條件，則會(huì)為電池充電。在此狀態(tài)下，外部 PMOS FET 將保持關(guān)斷狀態(tài)以保護(hù)附件免受過(guò)壓故障的影響。
移除適配器后，PMID_GD 會(huì)在電池升壓模式啟動(dòng)之前變?yōu)榈碗娖?。在電池升壓模式下，該器件?huì)將 PMID 電壓調(diào)節(jié)為 VOTG 寄存器設(shè)置，作為附件器件的穩(wěn)定電源。當(dāng) PMID 電壓上升到高于 VOTG_UVPZ時(shí)，PMID_GOOD 從低電平變?yōu)楦唠娖?。一?PMID 電壓超出此范圍，PMID_GOOD 會(huì)變?yōu)榈碗娖揭詳嚅_(kāi)附件器件與 PMID 的連接。在升壓模式期間，任何退出升壓模式的條件也會(huì)將 PMID_GD 從高電平驅(qū)動(dòng)至低電平。請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.6.1，查看這些條件的列表。
如果器件進(jìn)入旁路 OTG 模式，則當(dāng)啟用 HSFET (Q2) 后，PMID_GD 會(huì)從低電平變?yōu)楦唠娖?。在旁?OTG 模式期間，任何退出條件也會(huì)將 PMID_GD 從高電平驅(qū)動(dòng)至低電平。請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.6.2，查看這些條件的列表。