ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 說明（續(xù)）
- 6 器件比較表
- 7 引腳配置和功能
- 8 規(guī)格
-
9 詳細(xì)說明
- 9.1 概述
- 9.2 功能模塊圖
- 9.3 特性說明
- 9.4 器件功能模式
- 9.5 編程
- 9.6
寄存器映射
- 9.6.1
設(shè)置充電和 PROCHOT 選項
- 9.6.1.1 ChargeOption0 寄存器（SMBus 地址 = 12h）[復(fù)位 = E70Eh]
- 9.6.1.2 ChargeOption1 寄存器（SMBus 地址 = 30h）[復(fù)位 = 0211h]
- 9.6.1.3 ChargeOption2 寄存器（SMBus 地址 = 31h）[復(fù)位 = 02B7h]
- 9.6.1.4 ChargeOption3 寄存器（SMBus 地址 = 32h）[復(fù)位 = 0030h]
- 9.6.1.5 ProchotOption0 寄存器（SMBus 地址 = 33h）[復(fù)位 = 4A65h]
- 9.6.1.6 ProchotOption1 寄存器（SMBus 地址 = 34h）[復(fù)位 = 81A0h]
- 9.6.1.7 ADCOption 寄存器（SMBus 地址 = 35h）[復(fù)位 = 2000h]
- 9.6.2 充電和 PROCHOT 狀態(tài)
- 9.6.3 ChargeCurrent 寄存器（SMBus 地址 = 14h）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.4 MaxChargeVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 15h）[基于 CELL_BATPRESZ 引腳設(shè)置的復(fù)位值]
- 9.6.5 MinSystemVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Eh）[基于 CELL_BATPRESZ 引腳設(shè)置復(fù)位值]
- 9.6.6 用于動態(tài)電源管理的輸入電流和輸入電壓寄存器
- 9.6.7 OTGVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Bh）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.8 OTGCurrent 寄存器（SMBus 地址 = 3Ch）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.9 ADCVBUS/PSYS 寄存器（SMBus 地址 = 23h）
- 9.6.10 ADCIBAT 寄存器（SMBus 地址 = 24h）
- 9.6.11 ADCIINCMPIN 寄存器（SMBus 地址 = 25h）
- 9.6.12 ADCVSYSVBAT 寄存器（SMBus 地址 = 26h）
- 9.6.13 ID 寄存器
- 9.6.1
設(shè)置充電和 PROCHOT 選項
- 10應(yīng)用和實施
- 11電源相關(guān)建議
- 12布局
- 13器件和文檔支持
- 14機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
訂購信息
10.2.2.5 功率 MOSFET 選擇
四個外部 N 溝道 MOSFET 用于同步開關(guān)電池充電器。柵極驅(qū)動器在內(nèi)部集成到具有 6V 柵極驅(qū)動電壓的 IC 中。對于 19V 至 20V 輸入電壓，首選 30V 或更高額定電壓的 MOSFET。
品質(zhì)因數(shù) (FOM) 通常用于根據(jù)導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗之間的權(quán)衡來選擇合適的 MOSFET。對于頂部 MOSFET，F(xiàn)OM 定義為 MOSFET 導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 與柵漏電荷 QGD 的乘積。對于底部 MOSFET，F(xiàn)OM 定義為 MOSFET 導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 與總柵極電荷 QG 的乘積。
FOM 值越低，總功率損耗越低。通常，在相同的封裝尺寸下，較低的 RDS(ON) 具有較高的成本。
頂部 MOSFET 損耗包括導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。它是占空比 (D=VOUT/VIN)、充電電流 (ICHG)、MOSFET 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))、輸入電壓 (VIN)、開關(guān)頻率 (fS)、導(dǎo)通時間 (ton) 和關(guān)斷時間 (toff) 的函數(shù)：
第一項表示導(dǎo)通損耗。通常，MOSFET RDS(ON) 在結(jié)溫升高 100°C 時增加 50%。第二項表示開關(guān)損耗。MOSFET 導(dǎo)通時間和關(guān)斷時間的計算公式如下：
其中 Qsw 是開關(guān)電荷，Ion 是導(dǎo)通柵極驅(qū)動電流，Ioff 是關(guān)斷柵極驅(qū)動電流。如果 MOSFET 數(shù)據(jù)表中未給出開關(guān)電荷，則可通過柵漏電荷 (QGD) 和柵源電荷 (QGS) 來估算開關(guān)電荷：
可通過柵極驅(qū)動器的 REGN 電壓 (VREGN)、MOSFET 平坦電壓 (Vplt)、總導(dǎo)通柵極電阻 (Ron) 和關(guān)斷柵極電阻 (Roff) 來估算柵極驅(qū)動電流：
當(dāng)?shù)撞?MOSFET 在同步連續(xù)導(dǎo)通模式下運行時，其導(dǎo)通損耗的計算公式如下：
當(dāng)充電器在非同步模式下運行時，底部 MOSFET 關(guān)斷。因此，所有續(xù)流電流都流過底部 MOSFET 的體二極管。體二極管功率損耗取決于其正向壓降 (VF)、非同步模式充電電流 (INONSYNC) 和占空比 (D)。
對于 10mΩ 充電電流檢測電阻，非同步模式下的最大充電電流可達(dá) 0.25A，如果電池電壓低于 2.5V，則可達(dá) 0.5A。當(dāng)電池電壓最低時，占空比最小。選擇具有能夠承載最大非同步模式充電電流的內(nèi)部肖特基二極管或體二極管的底部 MOSFET。