ZHCSIH5C june 2018 – may 2023 BQ25713 , BQ25713B
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 說明（續(xù)）
- 6 器件比較表
- 7 引腳配置和功能
- 8 規(guī)格
-
9 詳細說明
- 9.1 概述
- 9.2 功能模塊圖
- 9.3 特性說明
- 9.4 器件功能模式
- 9.5 編程
- 9.6
寄存器映射
- 9.6.1
設(shè)置充電和 PROCHOT 選項
- 9.6.1.1 ChargeOption0 寄存器（I2C 地址 = 01/00h）[復(fù)位 = E70Eh]
- 9.6.1.2 ChargeOption1 寄存器（I2C 地址 = 31/30h）[復(fù)位 = 0211h]
- 9.6.1.3 ChargeOption2 寄存器（I2C 地址 = 33/32h）[復(fù)位 = 02B7h]
- 9.6.1.4 ChargeOption3 寄存器（I2C 地址 = 35/34h）[復(fù)位 = 0030h]
- 9.6.1.5 ProchotOption0 寄存器（I2C 地址 = 37/36h）[復(fù)位 = 4A65h]
- 9.6.1.6 ProchotOption1 寄存器（I2C 地址 = 39/38h）[復(fù)位 = 81A0h]
- 9.6.1.7 ADCOption 寄存器（I2C 地址 = 3B/3Ah）[復(fù)位 = 2000h]
- 9.6.2 充電和 PROCHOT 狀態(tài)
- 9.6.3 ChargeCurrent 寄存器（I2C 地址 = 03/02h）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.4 MaxChargeVoltage 寄存器（I2C 地址 = 05/04h）[基于 CELL_BATPRESZ 引腳設(shè)置的復(fù)位值]
- 9.6.5 MinSystemVoltage 寄存器（I2C 地址 = 0D/0Ch）[基于 CELL_BATPRESZ 引腳設(shè)置復(fù)位值]
- 9.6.6 用于動態(tài)電源管理的輸入電流和輸入電壓寄存器
- 9.6.7 OTGVoltage 寄存器（I2C 地址 = 07/06h）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.8 OTGCurrent 寄存器（I2C 地址 = 09/08h）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.9 ADCVBUS/PSYS 寄存器（I2C 地址 = 27/26h）
- 9.6.10 ADCIBAT 寄存器（I2C 地址 = 29/28h）
- 9.6.11 ADCIINCMPIN 寄存器（I2C 地址 = 2B/2Ah）
- 9.6.12 ADCVSYSVBAT 寄存器（I2C 地址 = 2D/2Ch）
- 9.6.13 ID 寄存器
- 9.6.1
設(shè)置充電和 PROCHOT 選項
- 10應(yīng)用和實施
- 11電源相關(guān)建議
- 12布局
- 13器件和文檔支持
- 14機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
訂購信息
9.3.8 兩級適配器電流限制（峰值功率模式）
通常，適配器可在幾毫秒至幾十毫秒內(nèi)提供高于直流額定值的電流。該充電器采用兩級輸入電流限制或峰值功率模式，以充分利用過載能力，并在 CPU 渦輪模式期間盡可能地減少電池放電。在 REG0x33[5:4] 中啟用峰值功率模式。直流電流限制 (ILIM1) 與 REG0x0F/0E() 中設(shè)置的適配器直流電流相同。過載電流 (ILIM2) 在 REG0x37[7:3] 中設(shè)置為 ILIM1 的百分比。
當充電器檢測到負載瞬態(tài)導(dǎo)致的輸入電流浪涌和電池放電（適配器和電池一起支持系統(tǒng)）時，或者當充電器檢測到負載瞬態(tài)導(dǎo)致系統(tǒng)電壓開始下降（只有適配器支持系統(tǒng)）時，充電器將首先在 REG0x33[7:6] 中為 TOVLD 施加 ILIM2，然后在長達 TMAX – TOVLD 的時間內(nèi)施加 ILIM1。在 REG0x33[1:0] 中對 TMAX 進行編程。在 TMAX 之后，如果負載仍處于高電平，則開始另一個峰值下電上電。在 TMAX 期間禁用充電；一旦 TMAX 到期，便繼續(xù)充電。如果 TOVLD 編程為等于 TMAX，則峰值功率模式始終開啟。
圖 9-1 兩級適配器電流限制時序圖