3 說(shuō)明
這款雙路小外形尺寸 (SO)-8,60V,12.5mΩ NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用作低電流電機(jī)控制應(yīng)用中的半橋。
頂視圖

產(chǎn)品概要
| TA = 25°C |
典型值 |
單位 |
| VDS |
漏源電壓 |
60 |
V |
| Qg |
柵極電荷總量 (10V) |
14 |
nC |
| Qgd |
柵漏柵極電荷 |
2.3 |
nC |
| RDS(on) |
漏源導(dǎo)通電阻 |
VGS = 6V |
15 |
mΩ |
| VGS = 10V |
12.5 |
mΩ |
| VGS(th) |
閥值電壓 |
3.0 |
V |
訂購(gòu)信息(1)
| 器件 |
介質(zhì) |
數(shù)量 |
封裝 |
出貨 |
| CSD88537ND |
13 英寸卷帶 |
2500 |
SO-8 塑料 封裝 |
卷帶封裝 |
| CSD88537NDT |
7 英寸卷帶 |
250 |
- 要了解所有可用封裝,請(qǐng)見(jiàn)數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。
最大絕對(duì)額定值
| TA = 25°C |
值 |
單位 |
| VDS |
漏源電壓 |
60 |
V |
| VGS |
柵源電壓 |
±20 |
V |
| ID |
持續(xù)漏極電流(受封裝限制) |
15 |
A |
| 持續(xù)漏極電流(受芯片限制),TC = 25°C 時(shí)測(cè)得 |
16 |
| 持續(xù)漏極電流 (1) |
8.0 |
| IDM |
脈沖漏極電流,TA = 25°C 時(shí)測(cè)得(2) |
108 |
A |
| PD |
功率耗散(1) |
2.1 |
W |
TJ, Tstg |
運(yùn)行結(jié)溫和 儲(chǔ)存溫度范圍 |
-55 至 150 |
°C |
| EAS |
雪崩能量,單脈沖 ID = 32,L = 0.1mH,RG = 25Ω |
51 |
mJ |
- RθJA = 60°C/W,這是在一個(gè)厚度 0.06 英寸環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的銅焊盤上測(cè)得的典型值
。
- 最大 RθJL = 20°C/W,脈沖持續(xù)時(shí)間 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%