ZHCSCQ9A January 2014 – August 2014 CSD88537ND
PRODUCTION DATA.
封裝選項
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- D|8
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
1 特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 雪崩額定值
- 無鉛
- 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
- 無鹵素
2 應(yīng)用范圍
- 用于電機(jī)控制的半橋
- 同步降壓轉(zhuǎn)換器
3 說明
這款雙路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用作低電流電機(jī)控制應(yīng)用中的半橋。
頂視圖
產(chǎn)品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | 60 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (10V) | 14 | nC | |
| Qgd | 柵漏柵極電荷 | 2.3 | nC | |
| RDS(on) | 漏源導(dǎo)通電阻 | VGS = 6V | 15 | mΩ |
| VGS = 10V | 12.5 | mΩ | ||
| VGS(th) | 閥值電壓 | 3.0 | V | |
訂購信息(1)
| 器件 | 介質(zhì) | 數(shù)量 | 封裝 | 出貨 |
|---|---|---|---|---|
| CSD88537ND | 13 英寸卷帶 | 2500 | SO-8 塑料 封裝 |
卷帶封裝 |
| CSD88537NDT | 7 英寸卷帶 | 250 |
- 要了解所有可用封裝，請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。
RDS(on) 與 VGS 間的關(guān)系 |
柵極電荷 |