ZHCSC33A February 2014 – December 2023 CSD88539ND
PRODUCTION DATA
3 說明
這款雙通道 SO-8、60V、23mΩ NexFET? 功率 MOSFET 設計用于在低電流電機控制應用中充當半橋。
圖 3-1 頂視圖產品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | 60 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (10V) | 7.2 | nC | |
| Qgd | 柵漏柵極電荷 | 1.1 | nC | |
| RDS(on) | 漏源導通電阻 | VGS = 6V | 27 | m? |
| VGS = 10V | 23 | mΩ | ||
| VGS(th) | 閾值電壓 | 3.0 | V | |
訂購信息(1)
| 器件 | 數量 | 介質 | 封裝 | 出貨 |
|---|---|---|---|---|
| CSD88539ND | 2500 | 13 英寸卷帶 | SO-8 塑料封裝 | 卷帶包裝 |
| CSD88539NDT | 250 | 7 英寸卷帶 |
(1) 如需了解所有可用封裝，請參閱數據表末尾的可訂購產品附錄。
絕對最大額定值
| TA = 25°C | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | 60 | V |
| VGS | 柵源電壓 | ±20 | V |
| ID | 持續(xù)漏極電流（受封裝限制） | 15 | A |
| 持續(xù)漏極電流（受芯片限制），TC = 25°C 時測得 | 11.7 | ||
| 持續(xù)漏極電流(1) | 6.3 | ||
| IDM | 脈沖漏極電流(2) | 46 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 2.1 | W |
| TJ，TSTG | 運行結溫和儲存溫度范圍 | -55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，單一脈沖 ID= 22A，L = 0.1mH，RG = 25? |
24 | mJ |
(1) RθJA = 60°C/W（典型值），在 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上的 1 平方英寸、2oz. 銅焊盤上
(2) 脈沖持續(xù)時間 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
RDS(on) 與 VGS 之間的關系
柵極電荷