ZHCSML9A June 2021 – July 2021 DRV8212P
PRODUCTION DATA
該器件的總功耗由三個主要部分組成:靜態(tài)電源電流耗散(PVM 和 PVCC)、功率 MOSFET 開關(guān)損耗 (PSW) 及功率 MOSFET RDS(on)(導(dǎo)通)損耗 (PRDS)。雖然其他因素可能會造成額外的功率損耗,但與這三個主要因素相比,這些因素通常微不足道。
可以根據(jù)標(biāo)稱電機電源電壓(VVM)和 IVM 工作模式電流規(guī)格來計算 PVM。可以根據(jù)標(biāo)稱邏輯電源電壓(VVCC)和 IVCC 工作模式電流規(guī)格來計算 PVCC。當(dāng) VVCC < VVM 時,DRV8212 會從 VM 引腳而非 VCC 引腳汲取運行電流。在這種工作條件下,IVCC 通常小于 500nA。
可以根據(jù)標(biāo)稱電機電源電壓 (VVM)、平均輸出電流 (IRMS)、開關(guān)頻率 (fPWM) 以及器件輸出上升 (tRISE) 和下降 (tFALL) 時間規(guī)格來計算 PSW。
可以根據(jù)器件 RDS(on) 和平均輸出電流 (IRMS) 來計算 PRDS。
RDS(ON) 與器件溫度密切相關(guān)。假設(shè)器件結(jié)溫為 85°C,根據(jù)標(biāo)稱溫度數(shù)據(jù),RDS(on) 可增加約 1.5 倍。下面的計算顯示了此降額系數(shù)。或者,Topic Link Label7.6 部分顯示了繪制 RDS(on) 如何隨溫度變化的曲線。
根據(jù)上面的示例計算,下面的表達式計算了器件的總預(yù)期功率耗散。
可以使用 PTOT、器件環(huán)境溫度(TA)和封裝熱阻(RθJA)來計算驅(qū)動器的結(jié)溫。RθJA 的值在很大程度上依賴于 PCB 設(shè)計以及器件周圍的銅散熱量。Topic Link Label9.3.2 更詳細地介紹了這種依賴性。
對于所有系統(tǒng)工作條件,器件結(jié)溫應(yīng)保持在其絕對最大額定值以下。本部分中的計算提供了對結(jié)溫的合理估計。然而,其他基于系統(tǒng)工作過程中溫度測量的方法更加現(xiàn)實和可靠??梢栽?a xmlns:opentopic="http://www.idiominc.com/opentopic" class="xref" href="GUID-C95444EF-1919-4DCD-A3EF-58A8D03E8351.html#GUID-C95444EF-1919-4DCD-A3EF-58A8D03E8351">Topic Link Label9.3.2 和Topic Link Label12.1.1 中找到有關(guān)電機驅(qū)動器電流額定值和功率耗散的其他信息。