ZHDS021 December 2025 DRV8363
PRODUCTION DATA
DRV8363 采用集成式柵源電壓 (VGS) 監(jiān)測器來監(jiān)測外部 MOSFET 的狀態(tài)。當(dāng)命令 MOSFET 的輸出狀態(tài)為關(guān)斷(INxx = 低電平)時,監(jiān)測器會驗證輸出是否關(guān)斷并保持關(guān)斷。如果在任何時候,VGS 電壓超過 VGS 閾值的持續(xù)時間超過 tvgs_dg,則 nFAULT 引腳會被驅(qū)動為低電平,并為相應(yīng)的輸出通道設(shè)置 VGS_XX 標(biāo)志。當(dāng)命令 MOSFET 的輸出狀態(tài)為導(dǎo)通(INxx = 高電平)時,監(jiān)測器會驗證輸出是否導(dǎo)通。如果在任何時候,VGS 降至 VGS 閾值以下的持續(xù)時間超過 tvgs_dg,則 nFAULT 引腳會被驅(qū)動為低電平,并為相應(yīng)的輸出通道設(shè)置 VGS_XX 標(biāo)志。VGS 監(jiān)測消隱時間與 VDS 監(jiān)測器共享,可以通過 VDS_VGS_BLK 寄存器字段調(diào)節(jié)。TI 建議根據(jù)外部 MOSFET 的預(yù)期開關(guān)時間設(shè)置該參數(shù)值。VGS 檢測抗尖峰脈沖時間可以通過 VGS_DEG 寄存器字段進行調(diào)整。在 PWM 上升/下降信號之后經(jīng)過消隱時間后,抗尖峰脈沖計時器才會啟動。TI 建議根據(jù)系統(tǒng)噪聲級別和可接受的容錯時序設(shè)置該參數(shù)值。