ZHCSMN9C May 2020 – July 2022 DRV8426
PRODUCTION DATA
對于在全橋內(nèi)連接的電機而言,電流路徑為通過一個半橋的高側(cè) FET 和另一個半橋的低側(cè) FET。導(dǎo)通損耗 (PCOND) 取決于電機的均方根電流 (IRMS) 以及高側(cè) (RDS(ONH)) 和低側(cè) (RDS(ONL)) 的導(dǎo)通電阻(如{9} 所示)。GUID-D4C21E8B-7FF6-447A-985B-592781D28A3C#GUID-D4C21E8B-7FF6-447A-985B-592781D28A3C/T5102272-187
{21} 中計算了{(lán)20} 中顯示的典型應(yīng)用的導(dǎo)通損耗。GUID-059F6A7F-27FD-4B43-9D29-B53E7C4B3D8F#GUID-059F6A7F-27FD-4B43-9D29-B53E7C4B3D8F/SLVSD398116GUID-D4C21E8B-7FF6-447A-985B-592781D28A3C#GUID-D4C21E8B-7FF6-447A-985B-592781D28A3C/T5102272-196
這種計算方式高度依賴于器件的溫度,因為溫度會顯著影響高側(cè)和低側(cè)的 FET 導(dǎo)通電阻。如需更準(zhǔn)確地計算該值,請考慮器件溫度對 FET 導(dǎo)通電阻的影響。