ZHCSXG7 August 2024 DRV8434A-Q1
PRODUCTION DATA
對于在全橋內(nèi)連接的電機而言，電流路徑為通過一個半橋的高側(cè) FET 和另一個半橋的低側(cè) FET。導(dǎo)通損耗 (PCOND) 取決于電機的均方根電流 (IRMS) 以及高側(cè) (RDS(ONH)) 和低側(cè) (RDS(ONL)) 的導(dǎo)通電阻（如方程式 2 所示）。
方程式 3 中計算了典型應(yīng)用中顯示的典型應(yīng)用導(dǎo)通損耗。
這種計算方式高度依賴于器件的溫度，因為溫度會顯著影響高側(cè)和低側(cè)的 FET 導(dǎo)通電阻。如需更準(zhǔn)確地計算該值，請考慮器件溫度對 FET 導(dǎo)通電阻的影響。