ZHCSK25B June 2020 – July 2022 DRV8436E
PRODUCTION DATA
圖 7-6 慢速衰減模式在慢速衰減期間,H 橋的兩個(gè)低側(cè) FET 均處于開啟狀態(tài),以便實(shí)現(xiàn)電流再循環(huán)。
在給定的 tOFF 下,慢速衰減是電流紋波最低的衰減模式。但是,在電流階躍下降時(shí),慢速衰減需要很長的時(shí)間才能穩(wěn)定至新的 ITRIP 電平,因?yàn)榇藭r(shí)的電流下降速度非常慢。如果關(guān)斷時(shí)間結(jié)束時(shí)的電流高于 ITRIP 電平,則慢速衰減將延長另一個(gè)關(guān)斷時(shí)間,依此類推,直到關(guān)斷時(shí)間結(jié)束時(shí)的電流低于 ITRIP 電平為止。
如果電流保持很長時(shí)間,則慢速衰減可能無法正確調(diào)節(jié)電流,因?yàn)殡姍C(jī)繞組上不存在反電動勢。在這種狀態(tài)下,電機(jī)電流上升速度會非常快,可能需要很長的關(guān)斷時(shí)間。在某些情況下,這可能會導(dǎo)致電流調(diào)節(jié)損耗,因此建議采用更激進(jìn)的衰減模式。