ZHCSO98A May 2023 – October 2023 DRV8849
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 器件比較
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
- 8 詳細(xì)說明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHH|36
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHH|36
訂購信息
8.3.4 電流調(diào)節(jié)和衰減模式
流經(jīng)電機(jī)繞組的電流由一個可調(diào)節(jié)關(guān)斷時間的 PWM 電流調(diào)節(jié)電路進(jìn)行調(diào)節(jié)。當(dāng) H 橋被啟用時，通過繞組的電流以一定的速率上升，該速率取決于直流電壓、繞組電感和存在的反電動勢大小。當(dāng)電流達(dá)到電流調(diào)節(jié)閾值（如圖 8-6 中的項(xiàng)目 1 所示）時，電橋?qū)⑦M(jìn)入衰減模式以減小電流，具體取決于 DECAY 引腳設(shè)置。關(guān)斷時間結(jié)束后，將重新啟用電橋，開始另一個 PWM 循環(huán)。
圖 8-5 電流斬波波形一旦達(dá)到斬波電流閾值后，H 橋可在兩種不同的狀態(tài)下運(yùn)行：快速衰減或慢速衰減。
在快速衰減模式下，一旦達(dá)到 PWM 斬波電流電平，H 橋便會通過導(dǎo)通對側(cè)的 MOSFET 進(jìn)行狀態(tài)逆轉(zhuǎn)，使繞組電流反向流動。由于繞組電流接近零，因此會禁用該電橋，以防止進(jìn)一步出現(xiàn)反向流動的電流。圖 8-6 的項(xiàng)目 3 中展示了快速衰減模式。
在慢速衰減模式下，通過啟用 H 橋中的兩個低側(cè) MOSFET 來實(shí)現(xiàn)繞組電流的再循環(huán)。圖 8-6 的項(xiàng)目 2 中展示了這種情況。
圖 8-6 衰減模式PWM 調(diào)節(jié)電流由比較器設(shè)置，該比較器監(jiān)測與低側(cè)功率 MOSFET 并聯(lián)的電流檢測 MOSFET 兩端的電壓。電流檢測 MOSFET 通過基準(zhǔn)電流進(jìn)行偏置，該基準(zhǔn)電流是電流模式正弦加權(quán) DAC 的輸出，其滿量程基準(zhǔn)電流通過 VREF 引腳的電壓進(jìn)行設(shè)置。
滿量程調(diào)節(jié)電流 (IFS) 的計算公式為：
IFS (A) = VREFx (V) / KV (V/A) = VREFx (V) / 2.2 (V/A)。
DRV8849 通過 DECAY 引腳來選擇衰減模式，如表 8-6 所示。衰減模式無法動態(tài)更改 - 它們在上電后被鎖存。
| DECAYx | 衰減模式 |
|---|---|
| 0 | 智能調(diào)優(yōu)紋波控制 |
| 1 | 智能調(diào)優(yōu)動態(tài)衰減，16μs 關(guān)斷時間 |
| 高阻態(tài) | 智能調(diào)優(yōu)動態(tài)衰減，32μs 關(guān)斷時間 |
330k 至 GND | 智能調(diào)優(yōu)動態(tài)衰減，8μs 關(guān)斷時間 |