ZHCSO98A May 2023 – October 2023 DRV8849
PRODUCTION DATA
流經(jīng)電機(jī)繞組的電流由一個(gè)可調(diào)節(jié)關(guān)斷時(shí)間的 PWM 電流調(diào)節(jié)電路進(jìn)行調(diào)節(jié)。當(dāng) H 橋被啟用時(shí),通過(guò)繞組的電流以一定的速率上升,該速率取決于直流電壓、繞組電感和存在的反電動(dòng)勢(shì)大小。當(dāng)電流達(dá)到電流調(diào)節(jié)閾值(如圖 8-6 中的項(xiàng)目 1 所示)時(shí),電橋?qū)⑦M(jìn)入衰減模式以減小電流,具體取決于 DECAY 引腳設(shè)置。關(guān)斷時(shí)間結(jié)束后,將重新啟用電橋,開(kāi)始另一個(gè) PWM 循環(huán)。
一旦達(dá)到斬波電流閾值后,H 橋可在兩種不同的狀態(tài)下運(yùn)行:快速衰減或慢速衰減。
在快速衰減模式下,一旦達(dá)到 PWM 斬波電流電平,H 橋便會(huì)通過(guò)導(dǎo)通對(duì)側(cè)的 MOSFET 進(jìn)行狀態(tài)逆轉(zhuǎn),使繞組電流反向流動(dòng)。由于繞組電流接近零,因此會(huì)禁用該電橋,以防止進(jìn)一步出現(xiàn)反向流動(dòng)的電流。圖 8-6 的項(xiàng)目 3 中展示了快速衰減模式。
在慢速衰減模式下,通過(guò)啟用 H 橋中的兩個(gè)低側(cè) MOSFET 來(lái)實(shí)現(xiàn)繞組電流的再循環(huán)。圖 8-6 的項(xiàng)目 2 中展示了這種情況。
PWM 調(diào)節(jié)電流由比較器設(shè)置,該比較器監(jiān)測(cè)與低側(cè)功率 MOSFET 并聯(lián)的電流檢測(cè) MOSFET 兩端的電壓。電流檢測(cè) MOSFET 通過(guò)基準(zhǔn)電流進(jìn)行偏置,該基準(zhǔn)電流是電流模式正弦加權(quán) DAC 的輸出,其滿量程基準(zhǔn)電流通過(guò) VREF 引腳的電壓進(jìn)行設(shè)置。
滿量程調(diào)節(jié)電流 (IFS) 的計(jì)算公式為:
IFS (A) = VREFx (V) / KV (V/A) = VREFx (V) / 2.2 (V/A)。
DRV8849 通過(guò) DECAY 引腳來(lái)選擇衰減模式,如表 8-6 所示。衰減模式無(wú)法動(dòng)態(tài)更改 - 它們?cè)谏想姾蟊绘i存。
| DECAYx | 衰減模式 |
|---|---|
| 0 | 智能調(diào)優(yōu)紋波控制 |
| 1 | 智能調(diào)優(yōu)動(dòng)態(tài)衰減,16μs 關(guān)斷時(shí)間 |
| 高阻態(tài) | 智能調(diào)優(yōu)動(dòng)態(tài)衰減,32μs 關(guān)斷時(shí)間 |
330k 至 GND | 智能調(diào)優(yōu)動(dòng)態(tài)衰減,8μs 關(guān)斷時(shí)間 |