ZHCSJU0B August 2019 – January 2021 DRV8874-Q1
PRODUCTION DATA
IPROPI 引腳會輸出與流經(jīng) H 橋中的低側(cè)功率 MOSFET 的電流成正比并經(jīng)過 AIPROPI 調(diào)節(jié)的模擬電流??梢允褂?a xmlns:opentopic="http://www.idiominc.com/opentopic" class="xref" href="#T4623489-18">Equation1 計算出 IPROPI 輸出電流。只有當(dāng)電流在低側(cè) MOSFET 中從漏極流向源極時,Equation1 中的 ILSx 才有效。如果電流從源極流向漏極,則該通道的 ILSx 值為零。例如,如果電橋處于制動、慢速衰減狀態(tài),則 IPROPI 外的電流僅與其中一個低側(cè) MOSFET 中的電流成正比。
此電流由內(nèi)部電流鏡架構(gòu)測得,無需使用外部功率感測電阻器。此外,電流鏡架構(gòu)還允許在驅(qū)動和制動低側(cè)慢速衰減期間感測電機繞組電流,從而在典型雙向有刷直流電機應(yīng)用中持續(xù)監(jiān)測電流。在滑行模式下,電流是續(xù)流電流,無法被感測到,原因是電流從源極流向漏極。但是,可以在驅(qū)動或慢速衰減模式下短暫重新啟用驅(qū)動器,并在再次切換回滑行模式之前測量此電流,從而對電流進行采樣。當(dāng)處于獨立的 PWM 模式且兩個低側(cè) MOSFET 同時傳導(dǎo)電流時,IPROPI 輸出將是這兩個低側(cè) MOSFET 電流的總和。
應(yīng)將 IPROPI 引腳連接到外部電阻器 (RIPROPI) 以接地,從而利用 IIPROPI 模擬電流輸出在 IPROPI 引腳上產(chǎn)生一個成比例電壓 (VIPROPI)。這樣即可使用標(biāo)準(zhǔn)模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 將負(fù)載電流作為 RIPROPI 電阻器兩端的壓降進行測量??梢愿鶕?jù)應(yīng)用中的預(yù)期負(fù)載電流來調(diào)節(jié) RIPROPI 電阻器的大小,以利用控制器 ADC 的整個量程。此外,DRV887x-Q1 器件還采用了一個內(nèi)部 IPROPI 電壓鉗位電路,可相對于 VREF 引腳上的 VVREF 限制 VIPROPI,并在發(fā)生輸出過流或意外高電流事件時保護外部 ADC。
可以使用Equation2 計算對應(yīng)于輸出電流的 IPROPI 電壓。
圖 7-2 集成電流感測IPROPI 輸出帶寬受 DRV887x-Q1 內(nèi)部電流感測電路感測延遲時間 (tDELAY) 的限制。此時間是指從低側(cè) MOSFET 啟用命令(來自 PH/EN 引腳的 INx)到 IPROPI 輸出準(zhǔn)備就緒這兩個時間點之間的延遲。在 H 橋 PWM 信號中,如果器件在驅(qū)動和慢速衰減(制動)之間交替切換,則感測電流的低側(cè) MOSFET 會持續(xù)導(dǎo)通,但感測延遲時間對 IPROPI 輸出不會產(chǎn)生任何影響。如果 INx 或 PH/EN 引腳上的命令禁用低側(cè) MOSFET(根據(jù)Topic Link Label7.3.2中的邏輯表),則 IPROPI 輸出將與輸入邏輯信號一同禁用。雖然低側(cè) MOSFET 在根據(jù)器件壓擺率(在“電氣特性”表中以 tRISE 時間表示)禁用時仍可能傳導(dǎo)電流,但 IPROPI 并不表示此關(guān)斷時間內(nèi)低側(cè) MOSFET 中的電流。