ZHCSJX2B August 2019 – January 2021 DRV8876-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
如果 PMODE 引腳在加電時(shí)處于高阻抗?fàn)顟B(tài),器件將鎖存至獨(dú)立半橋控制模式。此模式允許直接控制每個(gè)半橋,以支持高側(cè)慢速衰減或者驅(qū)動(dòng)兩個(gè)獨(dú)立的負(fù)載。#GUID-E5847102-CDA3-4494-9086-0B0D60F91EB3/X3992 顯示了獨(dú)立半橋模式的真值表。
在獨(dú)立半橋控制模式下,仍然可以使用電流感測(cè)和反饋功能,但內(nèi)部電流調(diào)節(jié)功能會(huì)被禁用,因?yàn)槊總€(gè)半橋都是獨(dú)立運(yùn)行的。此外,如果兩個(gè)低側(cè) MOSFET 在同時(shí)傳導(dǎo)電流,則經(jīng)過 IPROPI 調(diào)節(jié)的輸出將是電流的總和。請(qǐng)參閱GUID-E26186BA-86E6-4BF4-835A-E2637C0297C4.html#GUID-E26186BA-86E6-4BF4-835A-E2637C0297C4了解詳情。
| nSLEEP | INx | OUTx | 說明 |
|---|---|---|---|
| 0 | X | Hi-Z | 睡眠(H 橋高阻抗) |
| 1 | 0 | L | OUTx 低側(cè)導(dǎo)通 |
| 1 | 1 | H | OUTx 高側(cè)導(dǎo)通 |