ZHCSRZ1B April 2023 – December 2025 ESD441
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 封裝 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VRWM | 反向關斷電壓 | DPL 和 DPY 封裝 | IIO < 100nA，在工作溫度范圍內(nèi) | -5.5 | 5.5 | V | ||
| ILEAK | 反向漏電流 | VIO = 5.5V，IO 至 GND 或 GND 至 IO | 1 | 50 | nA | |||
| VBR | 擊穿電壓 | IIO = 1mA，IO 至 GND | 6 | 7 | 8 | V | ||
| VCLAMP | 使用 TLP 時的鉗位電壓 | DPL 封裝 | IPP = 1A，TLP，IO 至 GND | 6.3 | V | |||
| IPP = 5A，TLP，IO 至 GND | 6.5 | |||||||
| IPP = 16A，TLP，IO 至 GND | 7.6 | |||||||
| IPP = 16A，TLP，GND 至 IO | 3.8 | |||||||
| 浪涌沖擊的鉗位電壓 (3) | IPP = 6A，tp = 8/20μs，IO 至 GND | 7.6 | ||||||
| RDYN | 動態(tài)電阻 (2) | DPL 封裝 | IO 至 GND | 0.1 | Ω | |||
| GND 至 IO | 0.16 | |||||||
| VCLAMP | 使用 TLP 時的鉗位電壓 | DPY 封裝 | IPP = 1A，TLP，IO 至 GND | 7.1 | V | |||
| IPP = 5A，TLP，IO 至 GND | 7.3 | |||||||
| IPP = 16A，TLP，IO 至 GND | 8.2 | |||||||
| IPP = 16A，TLP，GND 至 IO | 3.8 | |||||||
| 浪涌沖擊的鉗位電壓 (3) | IPP = 6A，tp = 8/20μs，IO 至 GND | 8.6 | ||||||
| RDYN | 動態(tài)電阻 (2) | DPY 封裝 | IO 至 GND | 0.16 | Ω | |||
| GND 至 IO | 0.16 | |||||||
| CL | 線路電容 | DPL 和 DPY 封裝 | VIO = 0V；? = 1MHz，Vpp = 30mV，IO 至 GND 或 IO 至 GND | 1 | pF | |||