ZHCSTR1B November 2023 – January 2026 ESD852 , ESD862
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測試條件 | 器件 | 封裝 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VRWM | 反向關(guān)斷電壓 | ESD852、ESD862 | SOT-23 和 DFN1110-3 | -36 | 36 | V | ||
| VBRF | 正向擊穿電壓，任意 IO 引腳至 GND(1) | IIO = 1mA | ESD852、ESD862 | SOT-23 和 DFN1110-3 | 37.8 | 40 | 44.2 | V |
| VBRR | 反向擊穿電壓，任意 IO 引腳至 GND(1) | IIO = -1mA | ESD852、ESD862 | SOT-23 和 DFN1110-3 | -44.2 | -40 | -37.8 | V |
| VCLAMP | 鉗位電壓(2) | IPP = 1A，tp = 8/20μs，從 IO 到 GND | ESD852 | SOT-23 | 43 | V | ||
| IPP = 4.3A，tp = 8/20μs，從 IO 到 GND | 61 | V | ||||||
| IPP = 16A，TLP，從 IO 到 GND，包括正電流和負(fù)電流 | 63 | V | ||||||
| IPP = 1A，tp = 8/20μs，從 IO 到 GND | DFN1110-3 | 44 | V | |||||
| IPP = 3.8A，tp = 8/20μs，從 IO 到 GND | 66 | V | ||||||
| IPP = 16A，TLP，從 IO 到 GND，包括正電流和負(fù)電流 | 65 | V | ||||||
| IPP = 1A，tp = 8/20μs，從 IO 到 GND | ESD862 | SOT-23 | 47 | V | ||||
| IPP = 3.1A，tp = 8/20μs，從 IO 到 GND | 61 | V | ||||||
| IPP = 16A，TLP，從 IO 到 GND，包括正電流和負(fù)電流 | 64 | V | ||||||
| ILEAK | 漏電流，任何 IO 引腳至 GND | VIO = ±36V | ESD852、ESD862 | SOT-23 和 DFN1110-3 | 50 | nA | ||
| RDYN | 動態(tài)電阻(3) | IO 至 GND，GND 至 IO | ESD852、ESD862 | SOT-23 | 0.49 | Ω | ||
| ESD852 | DFN1110-3 | 0.65 | Ω | |||||
| CL | 輸入電容、任何 IO 至 GND | VIO = 0V，f = 1MHz，Vp-p = 30mV | ESD852 | SOT-23 | 2.8 | 3.5 | pF | |
| DFN1110-3 | 3 | 4 | pF | |||||
| ESD862 | SOT-23 | 2.6 | 2.9 | pF | ||||