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ZHCSV51A February 2025 – June 2025 HDC3120-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DEF|8

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

7.4.1.2 加熱器電氣行為

HDC3120-Q1 的片上加熱器作為具有正溫度系數(shù) (PTC) 的電阻元件運(yùn)行，其電阻隨溫度的升高而增大。可使用方程式 6 作為結(jié)溫 (TJ) 的函數(shù)來估算加熱器電阻：

方程式 6.

R_{H E A T E R} (T_{J}) \approx R_{25 - H E A T E R} ? [1 + α (T_{J} - 25 ° C)]

在 25°C 時(shí)，典型電阻 (R_25-HEATER) 約為 168.4Ω，溫度系數(shù) α 約為 0.00326 °C?1。當(dāng) HEAT_EN 被置位時(shí)，加熱器根據(jù)歐姆定律從 V_DD 消耗電流：I_HEATER ? V_DD / R_HEATER。請(qǐng)注意，雖然電阻隨溫度呈線性增大，但實(shí)際結(jié)溫（以及由此產(chǎn)生的加熱器電阻）會(huì)根據(jù)環(huán)境條件、空氣流量、PCB 布局和占空比而變化。

估算加熱器電阻后，可以使用方程式 7 估算加熱器功率：

方程式 7.

P_{H E A T E R} (T_{J}) \approx \frac{{V_{D D}}^{2}}{R_{H E A T E R} (T_{J})} \approx \frac{{V_{D D}}^{2}}{R_{25 - H E A T E R} ? [1 + α (T_{J} - 25 ° C)]}

表 7-4 匯總了 25°C 環(huán)境下的典型加熱器電流和功率值。這些值表示熱斜升之前的初始加熱器功耗。加熱器電阻隨著芯片溫度升高而增加，因此在加熱周期中，電流消耗會(huì)隨著時(shí)間的推移而略有降低。但是，在初始 1–2 秒期間，當(dāng)加熱器仍處于冷卻狀態(tài)時(shí)，電流消耗處于最大值。

表 7-4 25°C 時(shí)的估算加熱器電流和功率

電源電壓 (VDD)	加熱器電流（典型值）	加熱器功率（典型值）
1.8V	?10mA	?18mW
3.3V	?19mA	?62mW
5.0V	?28mA	?138mW
5.5V（最大值）	?30mA	?165mW

注：

由于這些不同的因素，根據(jù)電阻或功率估算精確的結(jié)溫通常不切實(shí)際。因此，用戶必須關(guān)注加熱器啟用時(shí)序和系統(tǒng)級(jí)熱行為，而不是依賴于理論電阻模型。

務(wù)必設(shè)計(jì)您的電源和系統(tǒng)熱包絡(luò)，以適應(yīng)啟動(dòng)期間觀察到的峰值加熱器電流。這驗(yàn)證了穩(wěn)定性并避免了欠壓情況，尤其是在 V_DD 電平較高時(shí)。