本部分中的布局示例顯示了去耦電容器和 ESD 保護(hù)二極管的建議放置方式。建議在 D+/D- 信號(hào)布線下方使用連續(xù)的接地層。建議使用小尺寸電容器 (0402/0201),以便可以將它們放置在非??拷娫匆_和相應(yīng)接地引腳的位置并使用頂層進(jìn)行連接。去耦電容器與相應(yīng)電源引腳和接地引腳之間的布線路徑上不得有任何過孔。當(dāng)考慮放置在靠近 IC 的位置時(shí),V1P8Vx 電源上的電容器具有更高的優(yōu)先級(jí)。ESD 保護(hù)二極管必須靠近連接器放置,并與接地層牢固連接。V1P8V1 的引腳 4 和 11 與 V1P8V2 的引腳 18 和 25 連接在一起,但此連接是在去耦電容器之后。如果 PCB 中有 2 層以上,則此連接應(yīng)在內(nèi)層或底層(例如,第 3 層或第 4 層)中實(shí)現(xiàn),以免中斷 D+/D- 布線下的接地層。所示的示例適用于隔離式主機(jī)或集線器,但類似的注意事項(xiàng)也適用于隔離式外設(shè)。VBUS 上的 120μF 電容器僅適用于主機(jī)或集線器,不得應(yīng)用于外設(shè)。可以選擇在 VBUS 布線上的 100nF(和 120μF)電容器之后放置一個(gè)直流電阻小于 100mΩ 的鐵氧體磁珠,從而防止 ESD 等瞬變影響電路的其余部分。為了獲得最佳性能,建議盡量縮短從 MCU 到 ISOUSB211 以及從 ISOUSB211 到連接器的 D+/D- 電路板布線長度。必須避免 D+/D- 線路上的過孔和殘樁。為實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行,務(wù)必避免 D+/D- 線路上的過孔和殘樁。
可將一個(gè)小平面(例如 2mm x 2mm)連接到頂層的 GND 引腳以提高熱性能。通過多個(gè)過孔將此層連接到第二層的接地層。