ZHCSQ53D November 2021 – April 2025 ISOUSB211
PRODUCTION DATA
去耦電容器根據(jù)電源建議部分中提供的建議放置在 ISOUSB211 旁邊。請注意,USB 標(biāo)準(zhǔn)要求,對于外設(shè),VBUS 上的總電容值(包括通過隔離式直流/直流轉(zhuǎn)換器從次級側(cè)反射的任何去耦電容)必須小于 10μF。但是,建議在 VBUS 上總共使用至少 5μF 的電容。建議在 VBUS 連接器附近使用 100nF 電容器來處理瞬態(tài)電流。
可以在 D+ 和 D- 線路上放置具有低電容和低動態(tài)電阻的 ESD 二極管,例如 PESD5V0C1USF??梢赃x擇在連接器的 VBUS 引腳與 ISOUSB211 的 VBUS 引腳之間放置一個直流電阻小于 100mΩ 的鐵氧體磁珠(如圖所示),從而抑制 ESD 等瞬變。