ZHCSQ53D November 2021 – April 2025 ISOUSB211
PRODUCTION DATA
8.2.5 示例配置 3
在圖 8-6 所示的應(yīng)用示例中，ISOUSB211 由連接器側(cè)的 USB VBUS 和微控制器側(cè)的本地 3.3V 數(shù)字電源供電來生成 V3P3Vx。內(nèi)部 LDO 用于在兩側(cè)生成 V1P8Vx，就和示例配置 1 中一樣。不過，VCC1 和 VCC2 并不像示例配置 1 中那樣直接連接到 VBUS 和 3.3V VLV，而是分別通過電阻 R1（20Ω，250mW）和 R2（5Ω，50mW）進行連接。
外部電阻器會降低電壓并耗散功率，有助于降低 ISOUSB211 內(nèi)的功率損耗以及相應(yīng)的溫升。在決定這些電阻值時均牢記 VCCx 電壓可能低至 2.4V。VCCx 引腳上需要額外的 1μF 電容。
在這種情況下，IC 內(nèi)部兩側(cè)的總功耗合計為：
VBUS1 × IVBUS1 + VBUS1 × IVCC1 - 20 Ω × IVCC1× IVCC1+ V3P3V2 × I3P3V2 + V3P3V2 × IVCC2- 5 Ω × IVCC2× IVCC2
假設(shè) VBUS 的最大值是 5.25V，并且 3.3V 本地電源的最大值是 3.5V，則內(nèi)部功耗計算如下：
5.25V × 13.5mA + 5.25V × 96mA - 20Ω × 96mA × 96mA + 3.5V × 13.5mA + 3.5V × 96mA - 5Ω × 96mA × 96mA = 728mW。
由于結(jié)至空氣熱阻為 44.2°C/W，此功率損耗會導(dǎo)致 33°C 的內(nèi)部溫升。此配置可支持高達 117°C 的環(huán)境溫度。
此配置在示例配置 1 和示例配置 2 之間提供了一個中間途徑，能夠?qū)崿F(xiàn)更低的溫升和更高的環(huán)境溫度運行，同時只需增加兩個電阻器和兩個電容器。
圖 8-8 搭配與 VCCx 引腳串聯(lián)的電阻器使用 ISOUSB211