ZHCSSD4 November 2023 LM25185-Q1
PRODUCTION DATA
當(dāng)功率 MOSFET 關(guān)斷時(shí)，變壓器的漏感與 SW 節(jié)點(diǎn)寄生電容諧振。產(chǎn)生的振鈴行為可能會(huì)過度（具有較大的變壓器漏感），并可能破壞次級(jí)零電流檢測。為了防止出現(xiàn)該情況，內(nèi)部設(shè)置了 400ns 的最小開關(guān)關(guān)斷時(shí)間（指定為 tOFF-MIN），以確保功能正常。
此外，功率 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的噪聲效應(yīng)會(huì)影響內(nèi)部電流檢測電路測量。為了降低該效應(yīng)，LM25185-Q1 在 MOSFET 導(dǎo)通后提供消隱時(shí)間。該消隱時(shí)間強(qiáng)制實(shí)現(xiàn) 125ns 的最小導(dǎo)通時(shí)間 tON-MIN。