ZHCSYV6 September 2025 LM51770-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
輸出側(cè) MOSFET QH2 (Q3) 和 QL2 (Q4) 會看到 16V 的輸出電壓以及開關(guān)期間 SW2 上出現(xiàn)的額外瞬態(tài)尖峰。因此,25V 或更高時,應(yīng)為 QH2 和 QL2 評級。MOSFET 的柵極平坦電壓需要小于轉(zhuǎn)換器的最小輸入電壓,否則,MOSFET 在啟動或過載情況下可能無法完全增強。
降壓運行模式下 QH2 中的功率損耗根據(jù)以下公式進(jìn)行近似計算:
升壓運行模式下 QL2 中的功率損耗由導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗兩個分量組成,二者分別通過方程式 37 和方程式 38 得出:
上升 (tr) 和下降 (tf) 時間基于 MOSFET 數(shù)據(jù)表信息或在實驗室中進(jìn)行測量。通常,RDSON 較?。▽?dǎo)通損耗較?。┑?MOSFET 具有較長的上升和下降時間(開關(guān)損耗較大)。
升壓運行模式下 QH2 中的功率損耗如方程式 39 所示: