請(qǐng)參閱 (1)(2)(3)| 電源電壓，VDD | -0.3V 至 6.0V |
| SMBDAT、SMBCLK、ALERT、T_Crit、PWM 引腳上的電壓 | -0.5V 至 6.0V |
| 其他引腳上的電壓 | ?0.3V 至（VDD + 0.3V） |
| 輸入電流，D? 引腳 | ±1mA |
| 所有其它引腳的輸入電流 (4) | 5mA |
| 封裝輸入電流 (4) | 30mA |
封裝功率耗散
SMBDAT、ALERT、T_Crit、PWM 引腳 | 請(qǐng)參閱 (5) |
| 輸出灌電流 | 10mA |
| 貯存溫度 | -65°C 至 +150°C |
| ESD 敏感性 (6)? ? | 人體放電模型 | 2000V |
| 機(jī)器放電模型 | 200V |
SMT 焊接信息
有關(guān)采用 LLP 封裝的 SMT 組裝的信息，請(qǐng)參閱 AN-1187 (SNOA401Q)，“無引線框架封裝”。 |
(1) 絕對(duì)最大額定值表示超過之后可能對(duì)器件造成損壞的限值。運(yùn)行額定值表示器件可正常工作的條件，但不保證性能限制。有關(guān)保證的規(guī)格和測(cè)試條件，請(qǐng)參閱“電氣特性”。保證的規(guī)格僅適用于所列出的測(cè)試條件。當(dāng)器件未在列出的測(cè)試條件下運(yùn)行時(shí)，某些性能特性可能會(huì)降級(jí)。
(2) 除非另有說明，否則所有電壓均以 GND 為基準(zhǔn)測(cè)量。
(3) 如果需要軍用/航天專用器件，請(qǐng)與 TI 銷售辦事處/經(jīng)銷商聯(lián)系以了解供貨情況和技術(shù)規(guī)格。
(4) 如果任何引腳處的輸入電壓 (V
IN) 超過電源電壓（V
IN < GND 或 V
IN > V+），則相應(yīng)引腳處的電流不應(yīng)超過 5mA。
表 5-1 顯示了 LM64 引腳的寄生元件和/或 ESD 保護(hù)電路，通過 "X" 表示它存在。請(qǐng)注意，不要對(duì)引腳 D+ 和 D? 上的寄生二極管 D1 進(jìn)行正向偏置：如果正向偏置超過 50mV，可能會(huì)破壞溫度測(cè)量結(jié)果。
(5) 有關(guān)結(jié)至環(huán)境熱阻，請(qǐng)參閱 AN-1187
SNOA401。
(6) 人體放電模型，100pF 通過 1.5kΩ 電阻器放電。機(jī)器放電模型，直接對(duì)每個(gè)引腳進(jìn)行 200pF 放電。有關(guān) ESD 保護(hù)輸入結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參閱
圖 5-2。