重要的 MOSFET 電氣參數(shù)包括最大連續(xù)漏極電流 I_D、最大漏源電壓 V_DS(MAX)、通過(guò)體二極管的最大源極電流和漏源導(dǎo)通電阻 R_DSON。

最大持續(xù)漏極電流 I_D 額定值必須超過(guò)最大持續(xù)負(fù)載電流。最大漏源電壓 V_DS(MAX) 必須足夠高，以便承受應(yīng)用中所見(jiàn)的最高差分電壓，包含任何預(yù)期故障條件。建議將電壓等級(jí)為 60V 最大值的 MOSFET 與 LM74704-Q1 搭配使用，因?yàn)?ANODE 和 CATHODE 引腳最大電壓額定值為 65V。LM74704-Q1 可驅(qū)動(dòng)的最大 V_GS 為 13V，因此必須選擇 V_GS 最小值為 15V 的 MOSFET。如果選擇了 V_GS 額定值小于 15V 的 MOSFET，則可以使用齊納二極管將 V_GS 鉗位到安全電平。啟動(dòng)期間，浪涌電流會(huì)流過(guò)體二極管，為輸出端的大容量保持電容器充電。流經(jīng)體二極管的最大拉電流必須高于應(yīng)用中可以看到的浪涌電流。

為了減少 MOSFET 傳導(dǎo)損耗，應(yīng)盡可能降低 R_DS(ON)，但根據(jù)低 R_DS(ON) 選擇 MOSFET 可能并非總能如愿。更高的 R_DS(ON) 可在更低反向電流級(jí)別為 LM74704-Q1 反向比較器提供更高電壓信息。隨著 R_DS(ON) 的增加，反向電流檢測(cè)效果更好。建議在標(biāo)稱負(fù)載條件下以穩(wěn)壓導(dǎo)通模式運(yùn)行 MOSFET，并選擇 R_DS(ON)，以便在標(biāo)稱工作電流下，正向壓降 V_DS 接近 20mV 調(diào)節(jié)點(diǎn)且不超過(guò) 50mV。

原則上，選擇 (20mV / I_{Load(Nominal)}) ≤ R_DS(ON) ≤ ( 50mV / I_{Load(Nominal)})。

MOSFET 制造商通常指定 V_GS 為 4.5V 和 V_GS 為 10V 的 R_DS(ON)。當(dāng) V_GS 低于 4.5V 時(shí)，R_DS(ON) 會(huì)大幅增加；當(dāng) V_GS 接近 MOSFET V_th 時(shí)，R_DS(ON) 最高。為了在輕負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定調(diào)節(jié)，建議在 V_GS 接近 4.5V（即遠(yuǎn)高于 MOSFET 柵極閾值電壓）時(shí)運(yùn)行 MOSFET。建議選擇典型柵極閾值電壓 V_th 為 2V 至 2.5V 的 MOSFET。選擇較低 V_th MOSFET 也會(huì)縮短導(dǎo)通時(shí)間。

根據(jù)設(shè)計(jì)要求，首選 MOSFET 額定值為：

• 60V V_DS(MAX) 和 ±20V V_GS(MAX)
• 3A 標(biāo)稱電流下的 R_DS(ON)：(20mV / 3A ) ≤ R_DS(ON) ≤ (50mV / 3A ) = 6.67mΩ ≤ R_DS(ON) ≤ 16.67mΩ
• MOSFET 柵極閾值電壓 _Vth：2 V（典型值）

必須根據(jù) MOSFET 的預(yù)期最大功率耗散來(lái)考慮 MOSFET 的熱阻，確保結(jié)溫 (T_J) 得到良好控制。