ZHCSNN4D October 2020 – May 2025 LMG3422R050 , LMG3426R050 , LMG3427R050
PRODUCTION DATA
要獲得不錯(cuò)的性能,必須最大限度降低柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)路阻抗。盡管柵極驅(qū)動(dòng)器集成在封裝上,但驅(qū)動(dòng)器的旁路電容位于外部。當(dāng) GaN 器件關(guān)斷為負(fù)電壓時(shí),連接外部 VNEG 電容器的路徑的阻抗包含在柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)路之中。VNEG 電容器必須放置在靠近 VNEG 引腳與 GND 引腳的位置。
VDD 引腳旁路電容器 C1 和 C11 也必須放置在靠近 VDD 引腳的位置,并且采用低阻抗連接方式。