ZHCSXK4 September 2024 LMG3614
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GaN 功率 FET | ||||||
| td(on)(Idrain) | 漏極電流導通延遲時間 | 從 VIN > VIN,IT+ 到 ID > 37.5mA，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1.5A，采用以下壓擺率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 64 | ns | ||||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 31 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 26 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 23 | |||||
| td(on) | 導通延遲時間 | 從 VIN > VIN,IT+ 到 VDS < 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1.5A，采用以下壓擺率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 86 | ns | ||||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 40 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 34 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 27 | |||||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 從 VIN < VIN,IT– 到 VDS > 80V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1.5A（與壓擺率設(shè)置無關(guān)），請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | 32 | ns | ||
| tf(off) | 關(guān)斷下降時間 | 從 VDS > 80V 到 VDS > 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1.5A（與壓擺率設(shè)置無關(guān)），請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | 22 | ns | ||
| 導通壓擺率 | 從 VDS < 250V 到 VDS < 150V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1.5A，采用以下壓擺率設(shè)置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | |||||
| 壓擺率設(shè)置 0（最慢） | 20 | V/ns | ||||
| 壓擺率設(shè)置 1 | 50 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 2 | 75 | |||||
| 壓擺率設(shè)置 3（最快） | 150 | |||||