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ZHCSSP7D February 2025 – November 2025 LMH13000

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RQE|13

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

5.5 低電流模式的電氣特性 (MODE = 0)

在 T_A = 25°C 時(shí)，PVDD = AVDD = 5V，RBIAS = AVDD，MODE = 0，PD = 0，緩沖器為圖 5-31（除非另有說明）

參數(shù)		測試條件		最小值	典型值	最大值	單位
IOUT 直流性能
I_OUT	調(diào)節(jié)電流⁽¹⁾	V_SET= 0.01V 至 2V	T_A = -40°C 至 +125°C	0.005		1	A
	I_OUT 精度	I_OUT = 0.1A				±14.5	%
	I_OUT 精度	I_OUT = 1A				±5.5	%
	I_OUT 變化	I_OUT = 0.1A	T_A = -40°C 至 +125°C			±3.5	%
	I_OUT 變化	I_OUT = 1A	T_A = -40°C 至 +125°C			±1	%
MINV_IOUT	最小 V_IOUT⁽²⁾	I_OUT = 0.1A	T_A = -40°C 至 +125°C	0.7			V
MINV_IOUT	最小 V_IOUT⁽²⁾	I_OUT = 1A	T_A = -40°C 至 +125°C	2.1			V
I_LEAK	IOUT 下的漏電流	PD = 1 或 LVDS = 0				170	nA
I_LEAK	IOUT 下的漏電流	PD = 1 或 LVDS = 0	T_A = -40°C 至 +125°C			48	μA
MAXV_IOUT	最大 V_IOUT					18	V
IOUT 交流性能（R_DAMP = 1Ω，L_LOAD = 1nH），請(qǐng)參閱圖 5-31
C_IOUT	IOUT 阻抗	并聯(lián)電容⁽³⁾		請(qǐng)參閱圖 5-12			pF
L_IOUT	IOUT 阻抗	串聯(lián)電感⁽⁴⁾			100		pH
	I_OUT 噪聲	I_OUT = 100mA，積分帶寬 = 100MHz	T_A = -40°C 至 +125°C		60		μA_RMS
t_r	I_OUT 上升時(shí)間	I_OUT = 1A，VLD = 4V			0.4		ns
t_r	I_OUT 上升時(shí)間	I_OUT = 1A，VLD = 4V	T_A = -40°C 至 +125°C		0.5		ns
t_f	I_OUT 下降時(shí)間	I_OUT = 1A，VLD = 4V			0.3		ns
t_f	I_OUT 下降時(shí)間	I_OUT = 1A，VLD = 4V	T_A = -40°C 至 +125°C		0.4		ns
	I_OUT 過沖	I_OUT = 1A，VLD = 4V			23		%
	I_OUT 下沖	I_OUT = 1A，VLD = 4V			10		%
	I_OUT 穩(wěn)定時(shí)間	I_OUT = 1A，10% 穩(wěn)定			3		ns
VSET（I_OUT 控制引腳）
	VSET 輸入偏置電流		T_A = -40°C 至 +125°C			50	nA
	VSET 輸入阻抗				4 \|\| 8		GΩ \|\| pF
V_SET	VSET 引腳電壓	For I_OUT = 0.005A 至 1A		0.01		2	V
k	V_SET 至 I_OUT 的比例因子	I_OUT = V_SET / R_SET × k			10000
	I_OUT/ V_SET 帶寬				800		kHz
R_SET	RSET 上的建議電阻				20		kΩ
恒定電流 (I_CC)，當(dāng) MODE = 0 和 MODE = 1 時(shí)
I_CC	恒定電流	R_BIAS = 25kΩ 至 500Ω 時(shí)		4		200	mA
	禁用	連接 RBIAS			AVDD		V
	精度	I_CC= 100mA				±5.5	%
	精度	I_CC= 100mA	T_A = -40°C 至 +125°C			±7.5	%
LVDS 輸入
	LVDS 至 IOUT 傳播延遲	I_OUT = 1A			10		ns
	LVDS 至 IOUT 傳播延遲	I_OUT = 1A	T_A = -40°C 至 +125°C		13		ns
	頻率 (LVDS/TTL/CMOS)				250		MHz
	EP 和 EN 電壓	V_CM ± V_DIFF⁽⁵⁾	f > 10MHz	AGND + 0.5		AVDD – 0.5	V
	EP 和 EN 電壓	V_CM ± V_DIFF⁽⁵⁾	DC 且 f = 10MHz	AGND		AVDD	V
	IOUT 抖動(dòng)	f < 250MHz，50% 占空比			6		ps
電源
	靜態(tài)的靜態(tài)電流	LVDS = 0，V_SET = 0.2V				7	mA
	靜態(tài)的靜態(tài)電流	LVDS = 0，V_SET = 0.2V	T_A = -40°C 至 +125°C			8	mA
	動(dòng)態(tài)的靜態(tài)電流	在 10MHz 時(shí)的 ΔLVDS，I_OUT = 1A			13		mA
	動(dòng)態(tài)的靜態(tài)電流	在 250MHz 時(shí)的 ΔLVDS，I_OUT = 1A			80		mA
MODE = 0 和 MODE = 1 時(shí)的熱關(guān)斷
T_SHD	熱關(guān)斷溫度				160		℃
	熱關(guān)斷遲滯				10		℃
	芯片熱時(shí)間常量	JEDEC PCB 上安裝的器件		請(qǐng)參閱圖 5-28
MODE，對(duì)于 MODE = 0 和 MODE = 1
	工作模式	低電流模式，MODE = 0	T_A = -40°C 至 +125°C			AGND + 1.2	V
	工作模式	高電流模式，MODE = 1	T_A = -40°C 至 +125°C	AVDD – 1.2			V
斷電，對(duì)于 MODE = 0 和 MODE = 1
I_PD	關(guān)斷電流		T_A = -40°C 至 +125°C			35	μA
	啟用電壓閾值	PD = 0	T_A = -40°C 至 +125°C			AGND + 1.2	V
	禁用電壓閾值	PD = 1	T_A = -40°C 至 +125°C	AVDD – 1.2			V
	開通延時(shí)時(shí)間	PD = 1 → 0	T_A = -40°C 至 +125°C		15		μs
	關(guān)斷延時(shí)時(shí)間	PD = 0 → 1	T_A = -40°C 至 +125°C		1		μs

(1) LMH13000 繼續(xù)在 V_SET 大于所述限值的情況下運(yùn)行；但是無法保證壽命可靠性。

(2) 維持 MINV_IOUT 以提供 I_OUT精度。如果 I_OUT 精度不是很重要，請(qǐng)進(jìn)一步降低此規(guī)格以提高熱性能。

(3) C_IOUT 是 IOUT 引腳到 PGND 引腳的電容。

(4) L_IOUT 是從 IOUT 引腳到內(nèi)部 FET 漏極的串聯(lián)電感。

(5) 僅在高頻運(yùn)行時(shí)，施加到 EP 和 EN 上的電壓保持與任一電源軌至少相差 0.5V。對(duì)于低頻運(yùn)行，EP 和 EN 可以上升到任一電源軌。