ZHCSDH4B February 2015 – December 2024 LMR14050
PRODUCTION DATA
LMR14050 集成了自舉電壓穩(wěn)壓器。BOOT 引腳和 SW 引腳之間的小電容器為高側(cè) MOSFET 提供柵極驅(qū)動電壓。當高側(cè) MOSFET 關(guān)斷且外部低側(cè)二極管導通時，BOOT 電容器充電。BOOT 電容的建議值是 0.1μF。推薦使用電介質(zhì)等級為 X7R 或 X5R，額定電壓為 16 V 或更高的陶瓷電容器，以保證穩(wěn)定的溫度和電壓特性。
當從輸入到輸出具有低壓差的條件下運行時，LMR14050 的高側(cè) MOSFET 以大約 97% 的占空比運行。當高側(cè) MOSFET 持續(xù)導通 5 或 6 個開關(guān)周期（頻率低于 1MHz 時為 5 或 6 個開關(guān)周期，而頻率高于 1MHz 時為 10 或 11 個開關(guān)周期），并且從 BOOT 到 SW 的電壓降至 3.2V 以下時，高側(cè) MOSFET 關(guān)斷，且集成式低側(cè) MOSFET 將 SW 拉至低電平，從而為 BOOT 電容器充電。
由于 BOOT 電容器提供的柵極驅(qū)動電流很小，因此高側(cè) MOSFET 可以在許多開關(guān)周期內(nèi)保持導通，然后 MOSFET 會關(guān)斷以刷新該電容器。因此，開關(guān)穩(wěn)壓器的有效占空比可能很高，接近 97%。壓降期間轉(zhuǎn)換器的有效占空比主要受功率 MOSFET 兩端的壓降、電感器電阻、低側(cè)二極管電壓和印刷電路板電阻的影響。