ZHCSFU2C December 2016 – October 2025 OPA4277-SP
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 失調(diào)電壓 | ||||||
| VOS | 輸入偏移電壓 | TJ = 25°C，輻照前和輻照后 | ±20 | ±65 | μV | |
| TJ = –55°C 至 +125°C，輻照前 | ±140 | |||||
| dVOS/dT | 輸入失調(diào)電壓溫漂 | TJ = –55°C 至 +125°C，輻照前 | ±0.15 | μV/°C | ||
| 輸入偏移電壓長(zhǎng)期穩(wěn)定性 | 0.2 | μV/mo | ||||
| PSRR | 電源抑制比 | VS = ±2V 至 ±18V， TJ = 25°C，輻照前和輻照后 |
±0.3 | ±1 | μV/V | |
| VS = ±2V 至 ±18V， TJ = –55°C 至 +125°C |
±1 | |||||
| 通道隔離 | DC | 0.1 | μV/V | |||
| 輸入偏置電流 | ||||||
| IB | 輸入偏置電流 | TJ = -55°C 至 +125°C | ±17.5 | nA | ||
| TJ = 25°C，輻照前和輻照后 | ±17.5 | |||||
| IOS | 輸入失調(diào)電流 | TJ = -55°C 至 +125°C | ±17.5 | nA | ||
| TJ = 25°C，輻照前和輻照后 | ±17.5 | |||||
| 噪聲 | ||||||
| 輸入電壓噪聲 | ? = 0.1 至 10Hz | 0.22 | μVpp | |||
| 輸入電壓噪聲密度 | ? = 10Hz | 12 | nV/√Hz | |||
| ? = 100Hz | 8 | |||||
| ? = 1kHz | 8 | |||||
| ? = 10kHz | 8 | |||||
| in | 輸入噪聲電流密度 | ? = 1kHz | 0.2 | fA/√ Hz | ||
| 輸入電壓 | ||||||
| VCM | 共模電壓范圍 | TJ = 25°C，輻照前和輻照后 | (V–) + 2 | (V+) – 2 | V | |
| CMRR | 共模抑制比 | (V–) + 2V < VCM < (V+) – 2V， TJ = 25°C，輻照前和輻照后，JDJ 封裝和 KGD |
114 | 140 | dB | |
| (V–) + 2V < VCM < (V+) – 2V， TJ = –55°C 至 +125°C， JDJ 封裝和 KGD |
114 | |||||
| (V–) + 2V < VCM < (V+) – 2V， TJ = 25°C，輻照前和輻射后，HFR 封裝 |
100 | 121 | ||||
| (V–) + 2V < VCM < (V+) – 2V， TJ = –55°C 至 +125°C，HFR 封裝 |
100 | |||||
| 輸入阻抗 | ||||||
| 差分 | 100 || 3 | MΩ || pF | ||||
| 共模 | (V–) + 2V < VCM < (V+) – 2V | 250 || 3 | GΩ || pF | |||
| 頻率響應(yīng) | ||||||
| GBW | 增益帶寬積 | 1 | MHz | |||
| SR | 壓擺率 | 0.8 | V/μs | |||
| 趨穩(wěn)時(shí)間 | 0.1%、10V 階躍、VS = ±15V、G = 1 | 14 | μs | |||
| 0.01%、10V 階躍、VS = ±15V、G = 1 | 16 | |||||
| THD + N | 總諧波失真 + 噪聲 | 1kHz、G = 1、VO = 3.5Vrms | 0.002% | |||
| 開環(huán)增益 | ||||||
| AOL | 開環(huán)電壓增益 | VO = (V–) + 0.5V 至 (V+) – 1.2V， RL = 10kΩ |
140 | dB | ||
| VO = (V–) + 1.5V 至 (V+) – 1.5V， RL = 2kΩ，TJ = 25°C， 輻射前和輻射后， JDJ 封裝和 KGD |
118 | 134 | ||||
| VO = (V–) + 1.5V 至 (V+) – 1.5V， RL = 2kΩ，TJ = –55°C 至 +125°C，JDJ 封裝和 KGD |
118 | 134 | ||||
| VO = (V–) + 1.5V 至 (V+) – 1.5V， RL = 2kΩ，TJ = 25°C， 輻射前和輻射后， HFR 封裝 |
100 | 123 | ||||
| VO = (V–) + 1.5V 至 (V+) – 1.5V， RL = 2kΩ，TJ = –55°C 至 +125°C，HFR 封裝 |
100 | 123 | ||||
| VO = (V–) + 3.4V 至 (V+) – 3.4V， RL = 600Ω，VS = ±7V，TJ = 25°C， 輻射前和輻射后， JDJ 封裝和 KGD |
118 | 134 | ||||
| VO = (V–) + 3.4V 至 (V+) – 3.4V， RL = 600Ω，VS = ±7V， TJ = –55°C 至 +125°C， JDJ 封裝和 KGD |
118 | 134 | ||||
| VO = (V–) + 3.4V 至 (V+) – 3.4V， RL = 600Ω，VS = ±7V，TJ = 25°C， 輻射前和輻射后， HFR 封裝 |
90 | 114 | ||||
| VO = (V–) + 3.4V 至 (V+) – 3.4V， RL = 600Ω，VS = ±7V， TJ = –55°C 至 +125°C，HFR 封裝 |
90 | 114 | ||||
| 輸出 | ||||||
| VO | 輸出電壓 | RL = 10kΩ，TJ = 25°C， 輻照前和輻射后 |
(V–) + 0.5 | (V+) – 1.2 | V | |
| RL = 10kΩ，TJ = –55°C 至 +125°C | (V–) + 0.5 | (V+) – 1.2 | ||||
| RL = 2kΩ，TJ = 25°C， 輻照前和輻射后 |
(V–) + 1.5 | (V+) – 1.5 | ||||
| RL = 2kΩ，TJ = –55°C 至 +125°C | (V–) + 1.5 | (V+) – 1.5 | ||||
| TJ = 25°C，RL = 600Ω， 輻照前和輻射后 |
(V–) + 3.4 | (V+) – 3.4 | ||||
| RL = 600Ω，VS = ±7V， TJ = –55°C 至 +125°C |
(V–) + 3.4 | (V+) – 3.4 | ||||
| ISC | 短路電流 | ±35 | mA | |||
| CLOAD | 容性負(fù)載驅(qū)動(dòng) | ? = 350kHz，IO = 0mA | 請(qǐng)參閱節(jié) 5.6 | |||
| 電源 | ||||||
| IQ | 每個(gè)放大器的靜態(tài)電流 | IO = 0mA，TJ = 25°C， 輻照前和輻射后 |
±790 | ±850 | μA | |
| IO = 0mA，TJ = –55°C 至 +125°C | ±900 | |||||