ZHCSNT3B April 2021 – September 2021 THVD1439 , THVD1439V , THVD1449 , THVD1449V
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測(cè)量信息
- 8 詳細(xì)說(shuō)明
- 9 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- D|8
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
8.3.1 靜電放電 (ESD) 保護(hù)
THVD14x9(V) 收發(fā)器系列的總線引腳包括針對(duì) ±15kV HBM 和 ±15kV IEC 61000-4-2 接觸放電的片上 ESD 保護(hù)。國(guó)際電工委員會(huì) (IEC) ESD 測(cè)試遠(yuǎn)比 HBM ESD 測(cè)試嚴(yán)格得多。IEC 模型的充電電容 C(S) 高出 50%，放電電阻 R(D) 低出 78%，所產(chǎn)生的放電電流明顯高于 HBM 模型。如 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)中所述，接觸放電是首選的瞬態(tài)保護(hù)測(cè)試方法。
圖 8-3 HBM 模型和 IEC ESD 模型的電流比較（括號(hào)中為 HBM 值）IEC ESD 保護(hù)的片上實(shí)現(xiàn)可顯著提高設(shè)備的穩(wěn)健性。人體接觸連接器和電纜時(shí)，會(huì)發(fā)生常見(jiàn)的放電事件。