ZHCSIN7F August 2018 – July 2025 TMUX6111 , TMUX6112 , TMUX6113
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測(cè)量信息
- 8 詳細(xì)說明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTE|16
訂購信息
8.3.2 超低電荷注入
TMUX6111, TMUX6112, and TMUX6113 采用簡(jiǎn)單的傳輸門拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，如圖 8-7 所示。與 NMOS 和 PMOS 相關(guān)的雜散電容中的任何不匹配都會(huì)在開關(guān)斷開或閉合時(shí)導(dǎo)致輸出電平發(fā)生變化。這些器件利用特殊的電荷注入消除電路，可將源極 (Sx) 至漏極 (Dx) 的電荷注入降低至最低 0.6pC（在 VS = 0V 條件下），如圖 8-13 所示。
圖 8-12 傳輸門拓?fù)?/span>
圖 8-13 源極至漏極電荷注入與源極或漏極電壓間的關(guān)系