11 修訂歷史記錄
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (August 2021)to RevisionD (July 2024)
- 更新 PW 和 RUM 封裝的 HBM ESD 值Go
- 更新了 IIH 最大值規(guī)格Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (April 2021)to RevisionC (August 2021)
- 為 TMUX7211、TMUX7212 和 TMUX7213 添加了 QFN 封裝Go
- 添加了 RUM 封裝的 ESD 詳細(xì)信息Go
- 更改了 12V 電源的 THD+N 典型值Go
- 添加了邏輯引腳上帶有集成下拉電阻器 部分Go
- 更新了超低電荷注入 部分Go
- 更新了布局示例 部分中的 TMUX721x 布局示例 圖Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (March 2021)to RevisionB (April 2021)
- 包含了 TMUX7213 的先斷后合延時(shí)時(shí)間 Go
- 更新了電荷注入補(bǔ)償 圖Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (December 2020)to RevisionA (March 2021)
- 向“特性”部分添加了對(duì) WQFN 的高電流支持Go
- 添加了 QFN 封裝的熱性能信息Go
- 更新了源極或漏極連續(xù)電流 表中 TSSOP 封裝的 IDC 規(guī)格 Go
- 在源極或漏極連續(xù)電流 表中添加了 QFN 封裝的 IDC 規(guī)格 Go
- 將 TON(VDD) 測(cè)試條件中的 VDD 上升時(shí)間值從 100ns 更新為 1μsGo
- 將電荷注入測(cè)試條件中的 CL 值從 1nF 更新為 100pFGo
- 更新了圖 7-10 漏電流與溫度間的關(guān)系
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