ZHCSM52B June 2024 – January 2025 TMUXHS4612
PRODUCTION DATA
TMUXHS4612 基于專有的 TI 技術(shù)，該技術(shù)使用由集成電荷泵產(chǎn)生的高電壓驅(qū)動的 FET 開關(guān)來實現(xiàn)低導(dǎo)通狀態(tài)電阻。憑借低功耗技術(shù)，TMUXHS4612 在工作模式下功耗僅為 800μA，在斷電 (EN = L) 模式下功耗僅為 32μA。該器件集成了 ESD 保護，能夠支持高達 1.5kV 的人體放電模型 (HBM) 和高達 750V 的充電器件模型 (CDM)。TMUXHS4612 還有一項特殊功能，該功能可在 VCC 電源不可用且在 I/O 引腳上施加模擬信號時防止器件反向供電。在這種情況下，此特殊功能可防止器件中出現(xiàn)漏電流。TMUXHS4612 不適合用于傳遞具有負(fù)擺幅的信號。