ZHDS030 December 2025 TPS1HC08-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
為了獲得良好的熱性能，請(qǐng)將 VBB 焊盤(pán)連接到大面積覆銅。在頂部 PCB 層，覆銅可能超出封裝尺寸，如下面的布局示例所示。除此之外，建議在一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部 PCB 層和/或底層上布置一個(gè) VBB 平面。過(guò)孔必須將這些平面連接到頂部 VBB 覆銅。將 VOUT 焊盤(pán)連接到電路板上的大面積覆銅還有助于實(shí)現(xiàn)更好的熱性能，因?yàn)闊崃靠梢酝ㄟ^(guò)內(nèi)部銅柱傳遞到電路板上的大面積覆銅。
TI 建議將連接到微控制器的 IO 信號(hào)布線到過(guò)孔，然后穿過(guò)內(nèi)部 PCB 層。
如果在設(shè)計(jì)中使用 CIC 電容器，則必須將其盡可能靠近器件的 VBB 和 GND 引腳。如果使用接地網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行電池反向保護(hù)，則 C IC 電容器必須從 VBB 網(wǎng)絡(luò)連接到 IC_GND 網(wǎng)絡(luò)。CVBB 電容器必須靠近 VBB 引腳放置，并連接到系統(tǒng)接地端以獲得出色的性能。
RLIM 元件必須放置在靠近器件的 ILIM 和 GND 引腳的位置。如果使用接地網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行電池反向保護(hù)，則 RLIM 必須從 ILIM 引腳連接到 IC_GND 網(wǎng)絡(luò)，以獲得預(yù)期的電流限制性能。
FLT 和 SNS 引腳布線必須相隔很遠(yuǎn)（正交或在不同的層中），以避免兩個(gè)信號(hào)之間出現(xiàn)任何耦合。
TPS1HC03-Q1 器件的封裝與該系列中的所有其他器件兼容，可用于通用板設(shè)計(jì)。