4 引腳配置和功能

圖 4-1 21 引腳 VQFN-HR RYQ 封裝（透明頂視圖）

表 4-1 引腳功能

引腳		I/O	說明
名稱	編號(hào)	I/O	說明
EN/UVLO	1	I	啟用邏輯輸入和可編程輸入電壓欠壓鎖定 (UVLO) 輸入。邏輯高電平可啟用器件。邏輯低電平可禁用器件并將其轉(zhuǎn)換為關(guān)斷模式。EN/UVLO 引腳上的電壓高于 1.15V 的邏輯高電平電壓后，該引腳可充當(dāng)可編程 UVLO 輸入，具有 1.23V 的內(nèi)部基準(zhǔn)電壓。
模式	2	I	I²C 目標(biāo)地址選擇。當(dāng)它連接至邏輯高電壓時(shí)，I²C 目標(biāo)地址為 74H。當(dāng)它連接至邏輯低電壓時(shí)，I²C 目標(biāo)地址為 75H。
SCL	3	I	I²C 接口的時(shí)鐘
SDA	4	I/O	I²C 接口的數(shù)據(jù)
DITH/SYNC	5	I	抖動(dòng)頻率設(shè)置和同步時(shí)鐘輸入。在該引腳和接地端之間，使用電容器來設(shè)置抖動(dòng)頻率。該引腳接地短路或拉至 1.2V 以上時(shí)，無抖動(dòng)功能。可以在該引腳上應(yīng)用外部時(shí)鐘，來同步開關(guān)頻率。
FSW	6	I	開關(guān)頻率可通過該引腳和 AGND 引腳之間的電阻進(jìn)行編程。
VIN	7	PWR	降壓/升壓轉(zhuǎn)換器的輸入
SW1	8	PWR	降壓側(cè)的開關(guān)節(jié)點(diǎn)引腳。它連接到內(nèi)部降壓低側(cè)功率 MOSFET 的漏極，以及內(nèi)部降壓高側(cè)功率 MOSFET 的源極。
PGND	9	PWR	IC 的電源接地
SW2	10	PWR	升壓側(cè)的開關(guān)節(jié)點(diǎn)引腳。它連接到內(nèi)部升壓低側(cè)功率 MOSFET 的漏極，以及內(nèi)部升壓高側(cè)功率 MOSFET 的源極。
VOUT	11	PWR	降壓/升壓轉(zhuǎn)換器的輸出
ISP	12	I	電流檢測放大器的正輸入。在 ISP 引腳和 ISN 引腳之間連接的可選電流檢測電阻可以限制輸出電流。如果檢測到的電壓達(dá)到寄存器中設(shè)置的電流限值，將激活慢速恒定電流控制環(huán)路，并開始調(diào)節(jié) ISP 引腳和 ISN 引腳之間的電壓。將 ISP 引腳和 ISN 引腳與 VOUT 引腳連接到一起，可以禁用輸出電流限制功能。
ISN	13	I	電流檢測放大器的負(fù)輸入。在 ISP 引腳和 ISN 引腳之間連接的可選電流檢測電阻可以限制輸出電流。如果檢測到的電壓達(dá)到寄存器中設(shè)置的電流限值，將激活慢速恒定電流控制環(huán)路，并開始調(diào)節(jié) ISP 引腳和 ISN 引腳之間的電壓。將 ISP 引腳和 ISN 引腳與 VOUT 引腳連接到一起，可以禁用輸出電流限制功能。
FB/INT	14	I/O	當(dāng)器件設(shè)置為使用外部輸出電壓反饋時(shí)，連接到電阻分壓器的中心抽頭以對(duì)輸出電壓進(jìn)行編程。當(dāng)器件設(shè)置為使用內(nèi)部反饋時(shí)，該引腳是故障指示燈輸出。當(dāng)發(fā)生內(nèi)部故障時(shí)，該引腳輸出邏輯低電平。
COMP	15	O	內(nèi)部誤差放大器的輸出。在該引腳和 AGND 引腳之間連接環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。
CDC	16	O	電壓輸出與 ISP 引腳和 ISN 引腳之間檢測到的電壓成正比。在該引腳和 AGND 之間使用一個(gè)電阻器來增加輸出電壓，以補(bǔ)償電纜上由電纜電阻引起的壓降。
AGND	17	—	IC 的信號(hào)接地
VCC	18	O	內(nèi)部穩(wěn)壓器的輸出。在此引腳和 AGND 引腳之間需要一個(gè)大于 4.7μF 的陶瓷電容器。
BOOT2	19	O	升壓側(cè)高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的電源。必須在此引腳和 SW2 引腳之間連接一個(gè) 0.1μF 的陶瓷電容器。
BOOT1	20	O	降壓側(cè)高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的電源。必須在此引腳和 SW1 引腳之間連接一個(gè) 0.1μF 的陶瓷電容器。
EXTVCC	21	I	為 VCC 選擇內(nèi)部 LDO 或外部 5V。將它連接至邏輯高電壓時(shí)，可選擇內(nèi)部 LDO。將它連接至邏輯低電壓時(shí)，可為 VCC 選擇外部 5V。