ZHCSQN5A March 2023 – January 2024 TPS563203 , TPS563206
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 輸入電源電壓 | ||||||
| Vin | 輸入電壓范圍 | 4.2 | 17 | V | ||
| IVin | Vin 電源電流 | 無負(fù)載，VEN = 5V，非開關(guān)，PSM 版本 | 110 | μA | ||
| 無負(fù)載，VEN = 5V，VFB = 0.7V，F(xiàn)CCM 版本 | 350 | μA | ||||
| IInSdn | Vin 關(guān)斷電流 | VEN = 0V | 7 | μA | ||
| UVLO | ||||||
| UVLO | Vin 欠壓鎖定 | 喚醒 VIN 電壓 | 3.6 | 3.8 | 4 | V |
| UVLO | Vin 欠壓鎖定 | 關(guān)斷 VIN 電壓 | 3.2 | 3.4 | 3.6 | V |
| UVLO | Vin 欠壓鎖定 | 遲滯 VIN 電壓 | 400 | mV | ||
| 反饋電壓 | ||||||
| VFB | FB 電壓 | TJ = 25°C，Vin = 4.2 – 17V | 591 | 600 | 609 | mV |
| VFB | FB 電壓 | TJ = -40°C 至 125°C，Vin = 4.2V - 17V | 588 | 600 | 612 | mV |
| MOSFET | ||||||
| RDS (on)Hi | 高側(cè) MOSFET Rds(on) | TJ = 25°C | 100 | mΩ | ||
| RDS (on)Lo | 低側(cè) MOSFET Rds(on) | TJ = 25°C | 55 | mΩ | ||
| 占空比和頻率控制 | ||||||
| FSW | 開關(guān)頻率 | VVOUT = 3.3V | 600 | kHz | ||
| TOFF(Min) | 最短關(guān)斷時(shí)間 (1) | VFB= 0.5V | 100 | ns | ||
| TON(Min) | 最短導(dǎo)通時(shí)間 (1) | 55 | ns | |||
| 電流限制 | ||||||
| IOCL_LS | 過流閾值 | 谷值電流設(shè)定點(diǎn) | 3 | 3.9 | 4.8 | A |
| INOCL | 負(fù)過流閾值 | 谷值電流設(shè)定點(diǎn) | 0.7 | 1.3 | 1.9 | A |
| 邏輯閾值 | ||||||
| VEN(On) | EN 閾值高電平 | 1.15 | 1.21 | 1.27 | V | |
| VEN(Off) | EN 閾值低電平 | 0.95 | 1.00 | 1.05 | V | |
| VENHys | EN 遲滯 | 200 | mV | |||
| 輸出放電和軟啟動(dòng) | ||||||
| IEN | EN 下拉電流 | VEN = 1.5V | 1 | uA | ||
| tSS | 內(nèi)部軟啟動(dòng)時(shí)間 | Vout 從 0 到目標(biāo)值。 | 1.4 | ms | ||
| 輸出欠壓和過壓保護(hù) | ||||||
| VUVP | UVP 跳變閾值 | 55 | 60 | 65 | % | |
| tUVPDLY | UVP 傳播抗尖峰脈沖 | 256 | us | |||
| tUVPOn | 在連續(xù)斷續(xù)模式下，開關(guān)時(shí)間 | 硬短路，UVP 檢測 | 1.5 | ms | ||
| tUVPOff | 在連續(xù)斷續(xù)模式下，非開關(guān)時(shí)間 | 硬短路，UVP 檢測 | 13 | ms | ||
| 過熱保護(hù) | ||||||
| TOTP | OTP 跳變閾值 | 155 | °C | |||
| TOTPHsy | OTP 遲滯 | 20 | °C | |||