10 修訂歷史記錄

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (June 2024)to RevisionC (April 2025)

• 添加了公告“采用 MagPack 技術(shù)屏蔽電感器和 IC”Go
• 刪除了公告“可根據(jù) CISPR 進行測量”Go
• 刪除了公告“可提供 PSpice 和 SIMPLIS 模型”Go
• 更新了封裝選項公告，增加封裝高度和“封裝接線”Go
• 刪除了器件信息表中的 TPSM828303PVCBR（預(yù)告信息）Go
• 刪除了器件信息表中的封裝高度Go
• 向器件信息表添加了 TPSM828301 (VCB) 和 TPSM828302 (VCB)（預(yù)發(fā)布信息）Go
• 在說明中添加了“1A、2A 和 3A 系列，引腳對引腳兼容”Go
• 將說明中的“器件基于 DCS-Control 拓撲，具有快速瞬態(tài)響應(yīng)和較小的輸出電容”更改為“器件采用 DCS-Control 拓撲，實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)和較小的輸出電容”Go
• 將說明中的“省電模式在低輸出電流下延長電池壽命，強制 PWM 模式在電感器中保持連續(xù)導(dǎo)通，從而在恒定開關(guān)頻率下減少紋波”更改為“省電模式延長電池壽命，強制 PWM 模式在準(zhǔn)固定開關(guān)頻率下通過電感器中的連續(xù)導(dǎo)通減少紋波”Go
• 將說明中的“內(nèi)部軟啟動電路會以嚴格受控的方式使電壓斜升，電源正常信號表示輸出電壓正確”更改為“內(nèi)部軟啟動電路降低浪涌電流，電源正常信號表示輸出電壓正確”Go
• 刪除了說明中的“器件支持 100% 模式”Go
• 將說明中的“3.0mm × 3.0mm × 1.95mm QFN 封裝和 2.5mm × 2.6mm × 1.95mm”更改為“3.0mm × 3.0mm QFN 封裝和 2.5mm × 2.6mm”Go
• 刪除了器件選項表中 TPSM828303PVCBR 的“預(yù)告信息（非量產(chǎn)數(shù)據(jù)）”表注釋Go
• 在器件選項表中添加了 TPSM828303KPVCBR、TPSM828301APVCBR 和 TPSM828302APVCBR 以及“預(yù)發(fā)布信息（非量產(chǎn)數(shù)據(jù)）”表注釋Go
• 在器件選項表中將 TPSM828303PVCBR 預(yù)告信息更改為 TPSM828303APVCBR，以便發(fā)布量產(chǎn)數(shù)據(jù)Go
• 在器件選項表中添加了軟啟動時間信息列Go
• 將兩個引腳功能表中引腳 8 的說明從“連接內(nèi)部功率 MOSFET 和電感器。避免將此引腳連接到較大的布線，因為這樣會增加 EMI。此引腳可以保持未連接狀態(tài)或焊接到一個小焊盤上”更改為“內(nèi)部連接的電感器。為了盡量降低 EMI，請將此引腳保持未連接狀態(tài)或焊接”Go
• 刪除了絕對最大額定值中第 1 行的 VOUTGo
• 在絕對最大額定值中添加了兩個額外的電壓行，一行用于引腳 SW (DC)、VOS 和 VOUT，另一行用于引腳 SW (AC，< 10ns)，帶有表注釋“開關(guān)時”Go
• 在器件版本 TPSM828303xK 啟動部分的電氣特性表中添加了參數(shù) tSSGo
• 將運行期間電源正?？辜夥迕}沖延遲部分中的參數(shù)名稱 td(PG) 更改為 td(PGO)Go
• 在參考電壓部分中添加了參數(shù) VFB 表注釋，指示該參數(shù)為直流參數(shù)Go
• 將段落“VCB 封裝版本使用 MagPack 技術(shù)來進一步降低 EMI。MagPack 是德州儀器 (TI) 專有的集成磁性元件封裝技術(shù)，可實現(xiàn)超高性能的電源模塊設(shè)計。除了降低 EMI，MagPack 還提高了電源模塊的效率和熱屬性。此特性實現(xiàn)內(nèi)業(yè)領(lǐng)先的功率密度”更改為“VCB 封裝版本使用 MagPack 技術(shù)，實現(xiàn)超高性能電源模塊設(shè)計。借助德州儀器 (TI) 專有的集成磁性元件 MagPack 封裝技術(shù)，這些電源模塊可提供業(yè)界卓越的功率密度、高效率、良好的熱性能、易用性以及更低的 EMI 輻射”Go
• 添加了有關(guān)集成電感器電感的表注釋Go
• 將 VCB 封裝版本中的集成電感器的電感從 340nH 更改為 400nH。Go
• 將文中的啟動時間值從固定值更改為引用規(guī)格表的值。Go
• 添加了有關(guān)輸出電容器選型與啟動時間之間關(guān)系（引用 TPSM82830xK 版本）以實現(xiàn)較慢啟動的說明Go
• 添加了 VOUT 精度部分Go
• 將文中的 PG 信號延遲時間值從固定值更改為引用規(guī)格表的值。Go
• 將 VCB 封裝版本的電感從 340nH 更改為 400nH。Go
• 將 VIN 和 VOUT 以及電阻器的固定值更改為引用設(shè)計參數(shù)表和 BOM 表中的值Go
• 在“元件列表”表中添加了 1.8V VOUT 電阻值Go
• 將關(guān)于使用 WEBENCH 工具的過時說明更改為當(dāng)前說明Go
• 添加了標(biāo)題為“PG 對 VOUT 的影響”的三張圖片Go
• 將關(guān)于使用 WEBENCH 工具的過時說明更改為當(dāng)前說明Go